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龍圖騰網(wǎng)恭喜天津恩特能源科技有限公司申請(qǐng)的專利一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119853473B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510331747.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02M3/335；該發(fā)明授權(quán)一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路是由王晨;郝磊;李君;王澤雅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-03-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)涉及一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路，包括：驅(qū)動(dòng)變壓器、推挽MOS管、功率MOS管、驅(qū)動(dòng)電阻和輸入電容；所述驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊繞組串聯(lián)在所述推挽MOS管和所述輸入電容之間；所述驅(qū)動(dòng)電阻的一端電性連接于所述驅(qū)動(dòng)變壓器的副邊繞組，所述驅(qū)動(dòng)電阻的另一端電性連接于所述功率MOS管。本申請(qǐng)?zhí)峁┑能涢_(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路，適用于固定接近50%占空比的拓?fù)洌ㄟ^(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)變壓器的勵(lì)磁電感量和推挽MOS管的死區(qū)時(shí)間，實(shí)現(xiàn)推挽MOS管的軟開(kāi)關(guān)且減少推挽MOS管的電壓應(yīng)力，有效減少驅(qū)動(dòng)損耗、降低熱量，提高開(kāi)關(guān)電源的工作效率。

本發(fā)明授權(quán)一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種軟開(kāi)關(guān)隔離驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：驅(qū)動(dòng)變壓器、推挽MOS管、功率MOS管、驅(qū)動(dòng)電阻和輸入電容；所述驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊繞組串聯(lián)在所述推挽MOS管和所述輸入電容之間；所述驅(qū)動(dòng)電阻的一端電性連接于所述驅(qū)動(dòng)變壓器的副邊繞組，所述驅(qū)動(dòng)電阻的另一端電性連接于所述功率MOS管；所述推挽MOS管包括：第一推挽MOS管和第二推挽MOS管；所述第一推挽MOS管的柵極和所述第二推挽MOS管的柵極接收移相180°帶死區(qū)的方波信號(hào)；所述功率MOS管包括：第一功率MOS管和第二功率MOS管；所述驅(qū)動(dòng)變壓器原副邊的匝比為，所述驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊繞組勵(lì)磁電感的取 值滿足下式： 其中，為所述第一推挽MOS管和所述第二推挽MOS管驅(qū)動(dòng)之間的死區(qū)時(shí)間，所述 第一推挽MOS管的漏源電容，為所述第二推挽MOS管的漏源電容，為所述第一功率 MOS管的柵源電容，所述第二功率MOS管的柵源電容，為所述第一推挽MOS管的占空 比，為開(kāi)關(guān)周期； 在死區(qū)時(shí)間內(nèi)，所述驅(qū)動(dòng)變壓器的原邊繞組勵(lì)磁電感與所述第一功率MOS管和第二功率MOS管的門極電容諧振。

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