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龍圖騰網恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN108630658B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201710508310.8，技術領域涉及：H01L23/535；該發(fā)明授權半導體裝置及其制造方法是由韓意書;李泰勇;柳智妍設計研發(fā)完成，并于2017-06-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：半導體裝置及其制造方法。一種半導體裝置，包括：第一信號分布結構，具有信號分布結構頂側、信號分布結構底側和多個信號分布結構橫向側，其中所述第一信號分布結構包括第一介電層和第一導電層；第一電子組件，耦合到所述信號分布結構頂側；第一囊封材料，覆蓋所述信號分布結構頂側的至少一部分和所述第一電子組件的至少一部分；半導體晶粒，耦合到所述信號分布結構底側并且位于所述第一電子組件正下方；多個導電柱，耦合到所述信號分布結構底側并且在所述半導體晶粒周圍橫向地定位；以及第二囊封材料，覆蓋所述信號分布結構底側的至少一部分、所述半導體晶粒的至少一部分以及所述導電柱的至少一部分。

本發(fā)明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：第一信號分布結構，具有信號分布結構頂側、信號分布結構底側和多個信號分布結構橫向側，其中所述第一信號分布結構包括位于所述信號分布結構頂側處的第一介電層、位于所述信號分布結構底側處的第二介電層和位于所述第一介電層和所述第二介電層之間的第一導電層；無源電子組件，其中所述無源電子組件是電容器電子組件，所述電容器電子組件的組件端子通過所述信號分布結構頂側耦合到所述第一導電層；第一囊封材料，覆蓋所述信號分布結構頂側的至少一部分和所述電容器電子組件的至少一部分；半導體晶粒，耦合到所述信號分布結構底側并且位于所述電容器電子組件正下方；多個導電柱，通過所述信號分布結構底側耦合到所述第一導電層并且在所述半導體晶粒周圍橫向地定位；以及第二囊封材料，覆蓋所述信號分布結構底側的至少一部分、所述半導體晶粒的至少一部分以及所述導電柱的至少一部分。

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