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龍圖騰網恭喜瑞薩電子株式會社申請的專利半導體器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112117281B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010493458.0，技術領域涉及：H10B43/10；該發明授權半導體器件是由川嶋祥之設計研發完成，并于2020-06-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件在說明書摘要公布了：本公開的實施例涉及半導體器件。沿Y方向排列的鰭、控制柵極電極和存儲器柵極電極，該控制柵極電極和存儲器柵極電極中的每一個被形成為沿Y方向延伸以跨過鰭、多個第一插頭，與在每個鰭中形成的漏極區域電連接，以及多個第二插頭，與在每個鰭中形成的源極區域電連接。這里，沿Y方向排列的多個第一插頭中的第N個插頭與沿Y方向的第2N?1個和第2N個鰭中的每一個耦合。此外，沿Y方向排列的多個第二插頭中的第N個插頭與沿Y方向的第2N和第2N+1個鰭中的每一個耦合。

本發明授權半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：半導體襯底；多個第一突出部分，每個第一突出部分從所述半導體襯底的上表面突出，并且每個第一突出部分沿所述半導體襯底的所述上表面在第一方向上延伸，所述多個第一突出部分中的每個第一突出部分是所述半導體襯底的一部分；第一柵極電極，經由第一絕緣膜被形成在所述多個第一突出部分中的每個突出部分的上表面和所述多個第一突出部分中的每個突出部分的側表面上，并且在與所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二柵極電極，經由作為電荷存儲部分的第二絕緣膜被形成在所述多個第一突出部分中的每個第一突出部分的所述上表面和所述多個第一突出部分中的每個第一突出部分的所述側表面上，并且所述第二柵極電極在所述第二方向上延伸，所述第二柵極電極經由絕緣膜與所述第一柵極電極的側表面中的一個側表面鄰近；第一半導體區域，以在平面圖中與所述第一柵極電極相鄰布置的形式，被形成在所述多個第一突出部分中的每個第一突出部分中；第二半導體區域，以在平面圖中與所述第二柵極電極相鄰布置的形式，被形成在所述多個第一突出部分中的每個第一突出部分中；多個第一插頭，分別被形成在所述多個第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列；和多個第二插頭，分別被形成在所述多個第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列，其中所述第一柵極電極、所述第二柵極電極、所述第一半導體區域和所述第二半導體區域組成非易失性存儲元件，其中沿所述第二方向排列的所述多個第一插頭的第N個插頭，與在沿所述第二方向排列的所述多個第一突出部分的第2N-1個突出部分，以及所述多個第一突出部分的第2N個突出部分中的每個突出部分中形成的所述第一半導體區域電連接，并且其中沿所述第二方向排列的所述多個第二插頭的第N個插頭，與在沿所述第二方向排列的所述多個第一突出部分的第2N個突出部分，以及所述多個第一突出部分的第2N+1個突出部分中的每個突出部分中形成的所述第二半導體區域電連接。

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