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龍圖騰網恭喜廈門大學申請的專利一種透射電鏡高分辨原位流體冷凍芯片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111879796B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010798704.3，技術領域涉及：G01N23/04；該發明授權一種透射電鏡高分辨原位流體冷凍芯片及其制備方法是由廖洪鋼;鄧俊先;江友紅設計研發完成，并于2020-08-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種透射電鏡高分辨原位流體冷凍芯片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種透射電鏡高分辨原位流體冷凍芯片及其制備方法。所述芯片的下片設置有支撐層、冷凍層、絕緣層，孔洞以及中心視窗；所述冷凍層設置有三個接觸電極、六對半導體薄膜以及導電金屬薄膜；中心視窗的外圍有一圈導電金屬薄膜，其中心為中心視窗；三個接觸電極置于芯片邊緣；六對半導體薄膜一端搭在導電金屬薄膜上，另一端搭在電極上；以中心視窗為中心，且在大于導電金屬薄膜的外邊緣區域內，硅腐蝕掉后留有孔洞，支撐層覆蓋在孔洞的上方；導電金屬薄膜置于孔洞上的支撐層上，冷凍層除接觸電極區域的上方覆蓋絕緣層；中心視窗上均有多個小孔。所述芯片具有微區快速冷凍，分辨率高，樣品漂移率低的優點。

本發明授權一種透射電鏡高分辨原位流體冷凍芯片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種透射電鏡高分辨原位液相冷凍芯片，其結構為上片和下片通過金屬鍵合層組合，其中上片和下片均分為正面和背面，上片的正面直接與下片的正面通過金屬鍵合層粘結，自封閉形成一個超薄的腔室；所述上片和下片的材質均為兩面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片設置有兩個注樣口和一個中心視窗1，其特征在于，下片設置有支撐層、冷凍層、絕緣層，孔洞以及中心視窗2；所述冷凍層設置有三個接觸電極、六對半導體薄膜以及導電金屬薄膜；中心視窗2的外圍有一圈導電金屬薄膜，其中心為中心視窗2；三個接觸電極置于芯片邊緣；六對半導體薄膜一端搭在導電金屬薄膜上，另一端搭在電極上；以中心視窗2為中心，且在大于導電金屬薄膜的外邊緣區域內，硅腐蝕掉后留有孔洞，支撐層覆蓋在孔洞的上方；導電金屬薄膜置于孔洞上的支撐層上，冷凍層除接觸電極區域的上方覆蓋絕緣層；所述上片的面積略小于下片的面積，上片的中心視窗1與下片的中心視窗2對齊，中心視窗1和中心視窗2上均有多個小孔；所述上片的制備方法為，S1.利用光刻工藝，將中心視窗圖案從光刻掩膜版轉移到兩面帶有氮化硅或氧化硅層的Si100晶圓A，然后在正膠顯影液中顯影得到晶圓A-1；S2.利用反應離子刻蝕工藝，在所述晶圓A-1的正面的氮化硅層上刻蝕出中心視窗，然后將晶圓A-1的正面朝上放入丙酮浸泡，最后用大量去離子水沖洗，去除光刻膠，得到晶圓A-2；S3.利用紫外激光直寫工藝，將中心視窗的小孔圖案從光刻掩膜版轉移到晶圓A-2的正面，然后在正膠顯影液中顯影，再用去離子水沖洗清洗表面，得到晶圓A-3；S4.利用反應離子刻蝕工藝，在晶圓A-3的背面的小孔處的氮化硅厚度刻蝕至10nm-15nm，然后將晶圓A-3的正面朝上先后放入丙酮中浸泡，最后用丙酮沖洗，去掉光刻膠，得到晶圓A-4；S5.將晶圓A-4的背面朝上放入氫氧化鉀溶液中進行濕法刻蝕，刻蝕直至正面只留下薄膜窗口，取出晶圓A-4用大量去離子水沖洗，得到晶圓A-5；S6.利用光刻工藝，將鍵合層圖案從光刻掩膜版轉移到晶圓A-5的正面，然后在正膠顯影液中顯影，再用去離子水沖洗清洗表面，得到晶圓A-6；S7.利用熱蒸發鍍膜工藝，將晶圓A-6蒸鍍金屬鍵合材料形成金屬鍵合層，得到晶圓A-7；S8.將晶圓A-7進行激光劃片，分成獨立芯片即為上片。

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