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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114141623B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010922638.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由趙炳貴設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-09-04向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的柵極結(jié)構(gòu)、位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏摻雜層以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且覆蓋所述源漏摻雜層的層間介質(zhì)層；在所述柵極結(jié)構(gòu)和層間介質(zhì)層上形成掩膜層，所述掩膜層開設(shè)有第一開口，所述第一開口與所述源漏摻雜層對(duì)應(yīng)且沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向延伸且連續(xù)；形成犧牲層，所述犧牲層填充部分所述第一開口；刻蝕未被所述犧牲層填充部分的所述第一開口對(duì)應(yīng)的所述層間介質(zhì)層，形成露出所述源漏摻雜層的第一溝槽。所述方法提高了器件的電學(xué)性能且簡(jiǎn)化了工藝，降低了成本。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括襯底、位于所述襯底上的柵極結(jié)構(gòu)、位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏摻雜層以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)且覆蓋所述源漏摻雜層的層間介質(zhì)層；在所述柵極結(jié)構(gòu)和層間介質(zhì)層上形成掩膜層，所述掩膜層開設(shè)有第一開口，所述第一開口與所述源漏摻雜層對(duì)應(yīng)且沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向延伸且連續(xù)；形成犧牲層，所述犧牲層填充部分所述第一開口；刻蝕未被所述犧牲層填充部分的所述第一開口對(duì)應(yīng)的所述層間介質(zhì)層，形成露出所述源漏摻雜層的第一溝槽。

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