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龍圖騰網恭喜中芯集成電路(寧波)有限公司申請的專利一種傳感器的晶圓級封裝結構及其封裝方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388685B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011119450.4，技術領域涉及：H10N10/01；該發明授權一種傳感器的晶圓級封裝結構及其封裝方法是由狄云翔;劉孟彬;韓鳳芹設計研發完成，并于2020-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種傳感器的晶圓級封裝結構及其封裝方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種傳感器的晶圓級封裝結構及其封裝方法，傳感器的晶圓級封裝方法包括：提供第一襯底，第一襯底包括基底和設置于基底表面的介質層；在第一襯底上形成檢測結構層，檢測結構層包括檢測結構；提供第二襯底，第二襯底具有第一空腔；在第一襯底上鍵合第二襯底，第一空腔朝向檢測結構層；去除基底；提供第三襯底；在檢測結構層遠離第二襯底的一側和或在第三襯底上設有至少部分圍堰；通過圍堰在檢測結構層遠離第二襯底的一側鍵合第三襯底，圍堰與第三襯底圍成第二空腔，第二空腔朝向檢測結構層。

本發明授權一種傳感器的晶圓級封裝結構及其封裝方法在權利要求書中公布了：1.一種傳感器的晶圓級封裝方法，其特征在于，包括：提供第一襯底，所述第一襯底包括基底和設置于所述基底表面的介質層；在所述第一襯底上形成檢測結構層，所述檢測結構層包括檢測結構；提供第二襯底，所述第二襯底具有第一空腔；在所述第一襯底上鍵合所述第二襯底，所述第一空腔朝向所述檢測結構層；去除所述基底；提供第三襯底；在所述檢測結構層遠離所述第二襯底的一側和或在所述第三襯底上設有至少部分圍堰；通過所述圍堰在所述檢測結構層遠離所述第二襯底的一側鍵合所述第三襯底，所述圍堰與所述第三襯底圍成第二空腔，所述第二空腔朝向所述檢測結構層；形成電連接結構，所述電連接結構將所述檢測結構層的電性引出，所述電連接結構的形成方法包括：在去除所述基底之后，圖形化所述介質層，形成第一通孔，形成第一連接部，貫穿所述第一通孔電連接所述檢測結構；鍵合所述第三襯底；圖形化所述第三襯底，形成第二通孔，形成第二連接部，貫穿所述第二通孔電連接所述第一連接部；在形成所述第二連接部之后，形成第三連接部電連接所述第二連接部，所述電連接結構包括所述第一連接部、第二連接部和第三連接部。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯集成電路(寧波)有限公司，其通訊地址為：315800 浙江省寧波市北侖區小港街道安居路335號3幢、4幢、5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。