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龍圖騰網恭喜江西鴻利光電有限公司申請的專利一種倒裝LED實現結構及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112271244B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011282662.4，技術領域涉及：H10H20/85；該發明授權一種倒裝LED實現結構及方法是由張路華;李義園;張明武;左明鵬;尚鵬飛設計研發完成，并于2020-11-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種倒裝LED實現結構及方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種新型的倒裝LED實現結構及方法，它包括倒裝LED芯片、倒裝LED支架和環氧錫膏；所述的倒裝LED芯片通過環氧錫膏粘接在倒裝LED支架的焊盤區域；所述的倒裝LED芯片的P極、N極分別涂覆錫層，形成P極鍍錫層、N極鍍錫層；P極鍍錫層、N極鍍錫層分別對應粘貼到倒裝LED支架對應的焊盤槽坑內；所述的環氧錫膏點涂在倒裝LED支架的焊盤槽坑內，焊盤槽坑四周設置有樹脂溢流溝槽，焊盤槽坑之間設置有斜坡型隔離塊，EMC膠材填充在P極、N極的焊盤周邊，倒裝LED支架上還填充有支架蝕刻片。本發明抑制倒裝LED封裝制程回流焊時錫膏融化后不規則流動引發的短路失效，同時解決終端二次回流焊可能造成的錫膏回融流動產生的短路風險。

本發明授權一種倒裝LED實現結構及方法在權利要求書中公布了：1.一種倒裝LED實現方法，其特征在于，使用LED實現結構，包括倒裝LED芯片、倒裝LED支架和環氧錫膏；所述的倒裝LED芯片通過環氧錫膏粘接在倒裝LED支架的焊盤區域；所述的倒裝LED芯片的P極1、N極2分別涂覆錫層，形成P極鍍錫層3、N極鍍錫層4；P極鍍錫層3、N極鍍錫層4分別對應粘貼到倒裝LED支架對應的焊盤槽坑5內；所述的環氧錫膏點涂在倒裝LED支架的焊盤槽坑5內，焊盤槽坑5四周設置有樹脂溢流溝槽6，焊盤槽坑5之間設置有斜坡型隔離塊7，EMC膠材8填充在P極1、N極2的焊盤周邊，倒裝LED支架上還填充有支架蝕刻片9，所述的環氧錫膏為帶有樹脂成分的錫膏，所述的斜坡型隔離塊7的高度高于P極鍍錫層3、N極鍍錫層4，其實現方法，包括以下步驟：1、首先，采用鍍錫工藝完成倒裝芯片電極鍍錫；在倒裝支架注塑時，在支架焊盤區域周圍將EMC膠材填充在P極焊盤和N極焊盤周邊，高于焊盤的表面；而在兩個焊盤中間位置，膠材注塑為隆起的斜坡型的隔離塊，它的高度高于其他位置；另外通過沖壓方式在P極焊盤和N極焊盤內側周邊制作一圈完整封閉的樹脂溢流溝槽；2、在固晶過程中，先將環氧錫膏點涂在倒裝LED支架的焊盤槽坑內；再將倒裝LED芯片及其帶有鍍錫層的電極，倒覆在倒裝LED支架的焊盤槽坑上契合固定；3、將固晶完成的支架過回流焊設備，倒裝芯片鍍錫層與焊盤槽坑及點涂在倒裝LED支架焊盤槽坑內的環氧錫膏融合；經過回流焊固化，使芯片和支架形成導通的回路；4、最后將熒光膠填充入支架碗杯中，即可。

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