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龍圖騰網恭喜聯華電子股份有限公司申請的專利磁阻式隨機存取存儲器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649016B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011492376.0，技術領域涉及：G11C11/16；該發明授權磁阻式隨機存取存儲器是由吳奕廷;黃正同;王荏滺;謝詠凈;楊伯鈞;陳健中;李柏昌設計研發完成，并于2020-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本磁阻式隨機存取存儲器在說明書摘要公布了：本發明公開一種磁阻式隨機存取存儲器。該磁阻式隨機存取存儲器中每一存儲器單元包含兩非易失性存儲單元、三個N型晶體管，和三個P型晶體管。每一N型晶體管并聯于相對應P型晶體管。通過N型晶體管和P型晶體管的并聯結構所組成的傳輸門可在寫入操作中提供雙向電流以避免產生源極退化。

本發明授權磁阻式隨機存取存儲器在權利要求書中公布了：1.一種磁阻式隨機存取存儲器，其包含：第一位線；第二位線；以及第一存儲器單元，其包含：第一非易失性存儲單元，其包含：第一端，耦接在該第一位線；以及第二端；第二非易失性存儲單元，其包含：第一端，耦接在該第二位線；以及第二端；第一N型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第一非易失性存儲單元的該第二端；第二端；以及控制端；第二N型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第二非易失性存儲單元的該第二端；第二端；以及控制端；第三N型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第一N型晶體管的該第一端；第二端，耦接在該第二N型晶體管的該第一端；以及控制端；第一P型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第一N型晶體管的該第二端；第二端，耦接在該第一N型晶體管的該第一端；以及控制端；第二P型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第二N型晶體管的該第二端；第二端，耦接在該第二N型晶體管的該第一端；以及控制端；以及第三P型晶體管，其包含：第一端，耦接在該第三N型晶體管的該第二端；第二端，耦接在該第三N型晶體管的該第一端；以及控制端。

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