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龍圖騰網恭喜株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188411B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110023207.0，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體裝置是由吉岡啟;磯部康裕;洪洪;小林仁;大野哲也;杉山亨設計研發完成，并于2021-01-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：提供輸出電容小的半導體裝置，從下到上具備：基板；第一氮化物半導體層；帶隙更大的第二氮化物半導體層；第一源極電極；第二源極電極，還具備：設于第一源極電極與第二源極電極間的第二氮化物半導體層之上的第一柵極電極；設于第二源極電極與第一柵極電極間的第二氮化物半導體層之上的第二柵極電極；漏極電極，設于第一柵極電極與第二柵極電極間的第二氮化物半導體層之上，具有第一布線、設于第二柵極電極與第一布線間的第二布線、設于第一布線與第二布線間的下方的第二氮化物半導體層的元件分離區域、和設于第一布線、第二布線以及元件分離區域之上并與第一布線以及第二布線電連接的第四布線；以及設于元件分離區域與第四布線間的絕緣膜。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：基板；設于所述基板上的第一氮化物半導體層；第二氮化物半導體層，設于所述第一氮化物半導體層之上，帶隙比所述第一氮化物半導體層大；第一源極電極，設于所述第二氮化物半導體層之上，沿與所述基板的基板面平行的第一方向延伸；第二源極電極，設于所述第二氮化物半導體層之上，沿所述第一方向延伸；第一柵極電極，設于所述第一源極電極與所述第二源極電極之間的所述第二氮化物半導體層之上，沿所述第一方向延伸；第二柵極電極，設于所述第二源極電極與所述第一柵極電極之間的所述第二氮化物半導體層之上，沿所述第一方向延伸；漏極電極，設于所述第一柵極電極與所述第二柵極電極之間的所述第二氮化物半導體層之上，并具有：沿所述第一方向延伸的第一布線；第二布線，設于所述第二柵極電極與所述第一布線之間，沿所述第一方向延伸；多個元件分離區域，沿所述第一方向分別分離地設置在所述第一布線與所述第二布線之間的下方的所述第二氮化物半導體層；多個第三布線，設于所述多個元件分離區域之間的所述第二氮化物半導體層之上，將所述第一布線與所述第二布線電連接；以及第四布線，設于所述第一布線、所述第二布線、所述多個元件分離區域以及所述多個第三布線之上；以及絕緣膜，設于所述多個元件分離區域與所述第四布線之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。