恭喜閃迪技術公司S·普森瑟瑪丹獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜閃迪技術公司申請的專利使用柵極誘生漏極泄漏生成的空穴預充電方案獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113870935B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110276241.9，技術領域涉及：G11C16/34；該發明授權使用柵極誘生漏極泄漏生成的空穴預充電方案是由S·普森瑟瑪丹;張艷麗;H·曾;張鵬設計研發完成，并于2021-03-15向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用柵極誘生漏極泄漏生成的空穴預充電方案在說明書摘要公布了：本發明題為“使用柵極誘生漏極泄漏生成的空穴預充電方案”。本文公開了一種存儲器設備。該存儲器設備包括：存儲器串，該存儲器串包括串聯連接的第一選擇晶體管、存儲器單元晶體管和第二選擇晶體管；位線，該位線連接至該第一選擇晶體管的一個端部；源極線，該源極線連接至該第二選擇晶體管的一個端部；第一選擇線，該第一選擇線連接至該第一選擇晶體管的柵極；字線，該字線連接至該存儲器單元晶體管的柵極；第二選擇線，該第二選擇線連接至該第二選擇晶體管的柵極；和控制電路，該控制電路被配置為在編程操作之前執行預充電操作，該預充電操作包括：向連接至該第二選擇晶體管的該柵極的該第二選擇線施加電壓，以引起來自該第二選擇晶體管的柵極誘生漏極泄漏。
本發明授權使用柵極誘生漏極泄漏生成的空穴預充電方案在權利要求書中公布了：1.一種存儲器設備，所述存儲器設備包括：存儲器串，所述存儲器串包括串聯連接的第一選擇晶體管、存儲器單元晶體管和第二選擇晶體管；位線，所述位線連接至所述第一選擇晶體管的一個端部；源極線，所述源極線連接至所述第二選擇晶體管的一個端部；第一選擇線，所述第一選擇線連接至所述第一選擇晶體管的柵極；字線，所述字線連接至所述存儲器單元晶體管的柵極；第二選擇線，所述第二選擇線連接至所述第二選擇晶體管的柵極；和控制電路，所述控制電路被配置為在編程操作之前執行預充電操作，所述預充電操作包括：向連接至所述第二選擇晶體管的所述柵極的所述第二選擇線施加負電壓，以引起來自所述第二選擇晶體管的柵極誘生漏極泄漏。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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