恭喜北京北方華創微電子裝備有限公司李銀龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115020220B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210692585.2，技術領域涉及：H01L21/3105；該發明授權硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法是由李銀龍;劉珂;胡海洋設計研發完成，并于2022-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法，采用含氯氣體形成的等離子體對硅氧化物膜層表面進行處理，以降低硅氧化物膜層表面上的氟元素與硅氧化物膜層表面的結合能力；采用第一惰性氣體形成的等離子體轟擊處理后的硅氧化物膜層表面，以移除硅氧化物膜層表面的氯元素和氟元素。本發明提供的硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法，可以在原位處理晶圓的前提下，顯著降低硅氧化物膜層的表面上的氟元素含量，從而可以保證刻蝕形貌和材料質量。
本發明授權硅氧化物膜層表面氟元素處理方法、刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種硅氧化物膜層表面氟元素處理方法，其特征在于，包括：采用含氯氣體形成的等離子體對所述硅氧化物膜層表面進行處理，以降低所述硅氧化物膜層表面上的氟元素與所述硅氧化物膜層表面的結合能力；采用第一惰性氣體形成的等離子體轟擊處理后的所述硅氧化物膜層表面，以移除所述硅氧化物膜層表面的氯元素和氟元素。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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