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龍圖騰網恭喜蘇州東微半導體股份有限公司申請的專利IGBT器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119230398B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411371340.5，技術領域涉及：H10D12/01；該發明授權IGBT器件的制造方法是由劉偉;王鵬飛;陳鑫;劉磊設計研發完成，并于2024-09-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本IGBT器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于IGBT器件技術領域，具體公開了一種IGBT器件的制造方法，包括：在n型半導體層內形成若干個第一溝槽；通過兩次傾斜的離子注入形成具有不同摻雜濃度的第一p型體區和第二p型體區；通過垂直的離子注入形成n型電荷存儲區；通過傾斜的離子注入形成n型源區；通過自對準工藝形成第一柵極和第二溝槽；在第二溝槽和第一溝槽內形成第二柵極。本發明可以減少IGBT器件制造過程中的光刻工藝次數，降低IGBT器件的制造成本。

本發明授權IGBT器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括：在提供的n型半導體層上形成第一絕緣層，對所述第一絕緣層和所述n型半導體層進行刻蝕，在所述n型半導體層內形成若干個第一溝槽；向所述第一溝槽的兩側分別進行傾斜的離子注入，在所述n型半導體層內形成位于所述第一溝槽一側的具有第一摻雜濃度的第一p型體區以及位于所述第一溝槽另一側的具有第二摻雜濃度的第二p型體區，位于相鄰的所述第一溝槽之間的所述第一p型體區與所述第二p型體區相毗鄰；所述第一摻雜濃度與所述第二摻雜濃度不相等；進行垂直的離子注入，在所述n型半導體層內形成位于所述第一溝槽下方的n型電荷存儲區；在所述第一溝槽的表面形成柵介質層，之后形成第一導電層并回刻，回刻后剩余的所述第一導電層的上表面低于所述n型半導體層的上表面，且所述第一導電層覆蓋所述第一溝槽的底面；向所述第一溝槽的兩側分別進行傾斜的離子注入，在所述第一p型體區和所述第二p型體區內分別形成n型源區；形成第二絕緣層并回刻，在所述第一溝槽的兩側形成位于所述第一導電層上的側墻，以所述第一絕緣層和所述側墻為掩膜對所述第一導電層進行刻蝕，刻蝕后剩余的所述第一導電層在所述第一溝槽的兩側分別形成第一柵極；以所述第一絕緣層和所述側墻為掩膜對所述柵介質層和所述n型半導體層進行刻蝕，在所述n型半導體層內形成第二溝槽；覆蓋所形成的結構形成第三絕緣層，之后形成第二導電層并回刻，刻蝕后剩余的所述第二導電層在所述第二溝槽內形成第二柵極。

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