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龍圖騰網恭喜蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司申請的專利半導體激光芯片及其制備方法、半導體激光芯片封裝組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119726361B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510193767.9，技術領域涉及：H01S5/024；該發明授權半導體激光芯片及其制備方法、半導體激光芯片封裝組件是由張宇昆;周立;王俊;靳嫣然;胡燚文;楊文帆;李婷;閔大勇設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體激光芯片及其制備方法、半導體激光芯片封裝組件在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，公開了一種半導體激光芯片及其制備方法、半導體激光芯片封裝組件，半導體激光芯片包括半導體芯片基體；位于半導體芯片基體第一表面的第一電極層、第一電極粘合層、腔面膜繞鍍層、第一電極過渡層和第一焊接層；位于半導體芯片基體的第二表面的第二電極層；腔面膜繞鍍層位于半導體激光芯片的側面，并覆蓋第一電極粘合層背向第一電極層一側表面的邊緣部分；第一電極粘合層包覆腔面膜繞鍍層背向半導體芯片基體一側表面和腔面膜繞鍍層的側面；第一電極過渡層還位于第一電極過渡層背向腔面膜繞鍍層的一側表面；第一焊接層的材料為貴金屬。與相關技術相比，本發明可以提高提升半導體激光芯片的封裝可靠性和散熱性能。

本發明授權半導體激光芯片及其制備方法、半導體激光芯片封裝組件在權利要求書中公布了：1.一種半導體激光芯片，其特征在于，包括：半導體芯片基體，所述半導體芯片基體具有相對的第一表面和第二表面；第一電極層，位于所述半導體芯片基體的第一表面；第二電極層，位于所述半導體芯片基體的第二表面；第一電極粘合層，位于所述第一電極層背向所述半導體芯片基體的一側表面；腔面膜繞鍍層，位于所述半導體芯片基體側面、所述第一電極層側面、所述第二電極層側面和所述第一電極粘合層側面，并覆蓋所述第一電極粘合層背向所述第一電極層一側表面的邊緣部分；所述腔面膜繞鍍層的材料為無機非金屬材料；第一電極過渡層，位于所述第一電極粘合層背向所述第一電極層一側表面，并包覆所述腔面膜繞鍍層背向所述半導體芯片基體一側表面和所述腔面膜繞鍍層的側面；第一焊接層，位于所述第一電極過渡層背向所述第一電極粘合層的一側表面，并且所述第一焊接層還位于所述第一電極過渡層背向所述腔面膜繞鍍層的一側表面；所述第一焊接層的材料為貴金屬。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州長光華芯光電技術股份有限公司;蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司，其通訊地址為：215163 江蘇省蘇州市高新區漓江路56號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。