恭喜常州臻晶半導體有限公司錢昊獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜常州臻晶半導體有限公司申請的專利促進碳化硅晶體穩定生長的裝置及其工作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119776977B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510289945.8,技術領域涉及:C30B15/20;該發明授權促進碳化硅晶體穩定生長的裝置及其工作方法是由錢昊;尹祖榮;陸敏設計研發完成,并于2025-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本促進碳化硅晶體穩定生長的裝置及其工作方法在說明書摘要公布了:本發明屬于碳化硅單晶生長領域,具體提供了一種促進碳化硅晶體穩定生長的裝置及其工作方法,其中,促進碳化硅晶體穩定生長的裝置通過調控攪拌階段和生長階段的溫度,在較低溫度下進行攪拌,減少對坩堝以及攪拌槳的腐蝕,控制坩堝按照周期性交替的方式進行正反轉,在攪拌組件固定的情況下通過溶液流動可以帶動攪拌槳自由旋轉,完成對溶液的攪拌;溶液在坩堝正轉以及反轉產生的相反的慣性力的沖擊下,可以快速進行混合,使得溶液在短時間內混合均勻;坩堝周期性正反轉,降低達到所需攪拌效果時的轉速,從而避免溶碳速度增加,進而提高了后續晶體生產時的穩定性。在攪拌完成之后,以較高溫度進行晶體生長,提高晶體的生長速度。
本發明授權促進碳化硅晶體穩定生長的裝置及其工作方法在權利要求書中公布了:1.一種促進碳化硅晶體穩定生長的裝置,其特征在于,包括:坩堝(100),其用于盛放溶液;加熱組件(200),其設置在所述坩堝(100)的四周;攪拌組件(300),用于給所述坩堝(100)內的溶液進行攪拌;驅動機構(400),其設置在所述坩堝(100)的下方,且用于帶動所述坩堝(100)升降以及旋轉;籽晶組件(500),其設置在所述坩堝(100)的上方,且用于晶體生長;控制模塊,被配置為在攪拌階段時,控制所述加熱組件(200)將溶液加熱至第一溫度,以及控制所述驅動機構(400)帶動坩堝(100)上升以將所述攪拌組件(300)的攪拌葉(3122)浸沒,再控制所述驅動機構(400)帶動坩堝(100)以周期性正反轉的旋轉模式進行轉動;以及在生長階段,控制所述加熱組件(200)將溶液加熱至第二溫度,同時控制所述籽晶組件(500)旋轉并反復提拉,完成晶體生長。
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