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龍圖騰網恭喜深圳市冠禹半導體有限公司申請的專利一種雙輸入GaN HEMT器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119789513B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510296505.5，技術領域涉及：H10D84/82；該發明授權一種雙輸入GaN HEMT器件及其制造方法是由李偉;高苗苗;段衛寧;梁為住設計研發完成，并于2025-03-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙輸入GaN HEMT器件及其制造方法在說明書摘要公布了：涉及半導體器件技術領域，本發明公開一種雙輸入GaNHEMT器件及制造方法。包括在襯底上依次外延生長的反向器件區層、共用漏極層和正向器件區層，其中正向器件區層上設有包含表面源極與表面柵極的外輸入結構，反向器件區層包含偏向襯底的內輸入結構，即內藏源極與內藏柵極，并通過開設導通孔實現內外輸入信號的有效傳輸。本發明達到雙倍提高器件集成度、優化信號處理性能以及增強器件可靠性的效果。

本發明授權一種雙輸入GaN HEMT器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種雙輸入GaNHEMT器件，其特征在于，包括：反向器件區層，在襯底上外延生長；所述反向器件區層依序包括鈍化層、高阻緩沖層、第一勢壘層、第一溝道層及第一電流阻擋層，所述反向器件區層的高阻緩沖層采用梯度摻雜AlGaN材料，其中鋁組分從襯底界面處的30%漸變至高阻緩沖層頂部的10%，以進一步降低晶格失配應力并提升二維電子氣（2DEG）的遷移率；共用漏極層，在所述反向器件區層上外延生長；正向器件區層，在所述共用漏極層上外延生長，所述正向器件區層依序包括第二電流阻擋層、第二溝道層及第二勢壘層；其中，所述正向器件區層上設置有外輸入結構，所述外輸入結構包含表面源極與表面柵極；所述反向器件區層包含偏向所述襯底的內輸入結構，所述內輸入結構包含半導體材質的內藏源極與內藏柵極，位于梯度摻雜AlGaN的所述高阻緩沖層中；其中，所述內藏源極與所述內藏柵極的縱向投影相對地錯開所述表面源極與所述表面柵極的縱向空間，由所述內藏源極與所述內藏柵極開設往上貫穿所述共用漏極層與所述正向器件區層的上輸入導通孔；由所述共用漏極層開設往下貫穿所述反向器件區層與所述襯底的下輸出導通孔，所述下輸出導通孔的縱向投影相對地錯開所述內藏源極與所述內藏柵極的縱向空間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市冠禹半導體有限公司，其通訊地址為：518100 廣東省深圳市寶安區航城街道三圍社區泰華梧桐工業園雨水(2A)棟3層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。