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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利光學模型的優化方法以及光學鄰近修正方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113050364B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911380331.1，技術領域涉及：G03F1/36；該發明授權光學模型的優化方法以及光學鄰近修正方法是由陳蓓;陳權設計研發完成，并于2019-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本光學模型的優化方法以及光學鄰近修正方法在說明書摘要公布了：一種光學模型的優化方法以及光學鄰近修正方法，光學模型的優化方法包括：提供光掩膜基板和初始光學模型；確定光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸；獲取任一缺陷位置處和正常位置處的光強比，用于作為光強修正因子，光強修正因子與所對應的缺陷的位置和尺寸相關；將光強修正因子添加至初始光學模型中，獲得光學模型。本發明的光強修正因子能夠表征由缺陷的存在所引起的實際光強的變化，從而使得光學模型的精度更高，光學模型用于建立光學鄰近修正模型，因此，能夠根據實際光強建立較佳的光學鄰近修正模型，以彌補光掩膜基板的缺陷所帶來的影響，進而提高光學鄰近修正的精準度。

本發明授權光學模型的優化方法以及光學鄰近修正方法在權利要求書中公布了：1.一種光學模型的優化方法，其特征在于，包括：提供光掩膜基板和初始光學模型，所述光掩膜基板為光學透明襯底，所述光掩膜基板用于形成反射式掩膜版，所述光掩膜基板具有三維空間坐標系，所述三維空間坐標系包括與所述光掩膜基板的表面相垂直的Z軸；確定所述光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸，所述缺陷的類型為相位型缺陷；獲取光強干擾項，所述光強干擾項與任一所述缺陷位置處的光波以及正常位置處的光波在所述Z軸的聚焦平面的差值相關，所述缺陷位置處的光波在所述Z軸的聚焦平面與所對應的所述缺陷的位置和尺寸相關；通過所述光強干擾項獲取任一所述缺陷位置處和正常位置處的光強比，用于作為光強修正因子，所述光強修正因子與所對應的所述缺陷的位置和尺寸相關；將所述光強修正因子添加至所述初始光學模型中，獲得光學模型。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。