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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請的專利掩膜版圖形、半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113078048B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010010444.9，技術領域涉及：H01L21/027；該發(fā)明授權掩膜版圖形、半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由舒強;張迎春;覃柳莎設計研發(fā)完成，并于2020-01-06向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本掩膜版圖形、半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種掩膜版圖形、半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中掩膜版圖形包括：第一掩膜版圖形，所述第一掩膜版圖形包括若干第一目標圖形，若干所述第一目標圖形沿第一方向排列；第二掩膜版圖形，所述第二掩膜版圖形包括若干第二目標圖形，若干所述第二目標圖形沿第一方向排列；當所述第一掩膜版圖形和所述第二掩膜版圖形重合時，一個所述第一目標圖形與一個所述第二目標圖形部分重疊。所述掩膜版圖形的圖案密度較好。

本發(fā)明授權掩膜版圖形、半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種掩膜版圖形，其特征在于，包括：第一掩膜版圖形，所述第一掩膜版圖形包括若干第一目標圖形，若干所述第一目標圖形沿第一方向排列；第二掩膜版圖形，所述第二掩膜版圖形包括若干第二目標圖形，若干所述第二目標圖形沿第一方向排列；當所述第一掩膜版圖形和所述第二掩膜版圖形重合時，一個所述第一目標圖形僅與一個所述第二目標圖形部分重疊；沿第一方向上，相鄰第一目標圖形之間具有第一間距；沿第一方向上，所述第二目標圖形與第一目標圖形非重疊部分的尺寸小于第一間距；沿第一方向上，各所述第一目標圖形具有第一尺寸；沿第一方向上，各所述第二目標圖形具有第二尺寸；側(cè)墻的厚度小于相鄰所述第二目標圖形與第一目標圖形之間的距離；沿第一方向上，所述第二目標圖形與第一目標圖形重疊部分的尺寸占第一尺寸的比例范圍為40%~60%，所述第二目標圖形與第一目標圖形非重疊部分的尺寸占第一間距的比例范圍為40%~60%。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)文昌大道18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。