恭喜國際商業(yè)機器公司S·西埃格獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜國際商業(yè)機器公司申請的專利納米片的直接印刷和自對準(zhǔn)雙重圖案化獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114175211B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-20發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202080049131.2,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/02;該發(fā)明授權(quán)納米片的直接印刷和自對準(zhǔn)雙重圖案化是由S·西埃格;D·J·德切尼;E·米勒設(shè)計研發(fā)完成,并于2020-07-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本納米片的直接印刷和自對準(zhǔn)雙重圖案化在說明書摘要公布了:一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法,包括在襯底之上形成包括犧牲材料和溝道材料的交替層的納米片疊置體,溝道材料層為一個或多個納米片場效應(yīng)晶體管提供納米片溝道。該方法還包括:在該納米片疊層之上形成硬掩模疊置體;以及在該硬掩模疊置體之上形成圖案化層。該方法進(jìn)一步包括在該圖案化層上方圖案化光刻掩模,該光刻掩模限定i一個或多個第一區(qū)域,該一個或多個第一區(qū)域用于在該納米片疊置體和該襯底中直接印刷具有第一寬度的一個或多個鰭狀物;以及ii一個或多個第二區(qū)域,該一個或多個第二區(qū)域用于使用自對準(zhǔn)雙重圖案化來設(shè)置在該納米片疊置體和該襯底中的具有第二寬度的兩個或更多個鰭狀物之間的間隔。第二寬度小于第一寬度。
本發(fā)明授權(quán)納米片的直接印刷和自對準(zhǔn)雙重圖案化在權(quán)利要求書中公布了:1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法,包括:在襯底之上形成包括犧牲材料和溝道材料的交替層的納米片疊置體,所述溝道材料的層為一個或多個納米片場效應(yīng)晶體管提供納米片溝道;在所述納米片疊置體上方形成硬掩模疊置體;在所述硬掩模疊置體之上形成圖案化層;以及在所述圖案化層上圖案化光刻掩模,所述光刻掩模限定:i一個或多個第一區(qū)域,所述一個或多個第一區(qū)域用于在所述納米片疊置體和所述襯底中直接印刷具有第一寬度的一個或多個鰭狀物,以及ii一個或多個第二區(qū)域,所述一個或多個第二區(qū)域用于使用自對準(zhǔn)雙重圖案化來設(shè)置在所述納米片疊置體和所述襯底中的具有第二寬度的兩個或更多個鰭狀物之間的間隔;其中,所述第二寬度小于所述第一寬度。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人國際商業(yè)機器公司,其通訊地址為:美國紐約;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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