西湖煙山科技(杭州)有限公司楊帆獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西湖煙山科技(杭州)有限公司申請的專利重構晶圓、晶圓重構方法和顯示面板的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119421580B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-20發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411944011.5，技術領域涉及：H10H29/01；該發明授權重構晶圓、晶圓重構方法和顯示面板的制備方法是由楊帆;凌威;吳海妹設計研發完成，并于2024-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本重構晶圓、晶圓重構方法和顯示面板的制備方法在說明書摘要公布了：本發明實施例公開了一種重構晶圓、晶圓重構方法和顯示面板的制備方法，通過將待分割晶圓的外延結構層一側的第一襯底去除以得到第一中間結構，將對應于較小尺寸待分割晶圓的第一中間結構分割成多個晶片，將晶片與較大尺寸的載體進行鍵合以得到重構晶圓，可以實現將小尺寸的待分割晶圓重構成大尺寸的重構晶圓，使得重構晶圓的尺寸可以滿足先進工藝制程的要求。另外，首先去除第一襯底，可以減少后續步驟中晶圓分割得到的晶片缺陷，并減少后續重構晶圓過程中以及得到重構晶圓后的顯示面板制備過程中的離子污染，有利于提高重構晶圓和顯示面板的良率。在切割時包含砷化鎵的第一襯底容易有毒性氣體產生，提前去除第一襯底，有利于提高生產安全性。
本發明授權重構晶圓、晶圓重構方法和顯示面板的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種晶圓重構方法，其特征在于，包括：將待分割晶圓的外延結構層一側的第一襯底去除以得到第一中間結構；所述外延結構層包括層疊設置的第一半導體層、發光層和第二半導體層，所述第一半導體層位于所述發光層和所述第一襯底之間；所述第一襯底的材料包括砷化鎵；將所述第一中間結構分割成多個晶片；將所述晶片與載體進行鍵合以得到重構晶圓；其中，所述載體的面積大于所述待分割晶圓的面積；所述重構晶圓的晶片的外延結構層用于經過圖形化后形成多個發光結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西湖煙山科技(杭州)有限公司，其通訊地址為：310030 浙江省杭州市西湖區三墩鎮智強路428號云創鎵谷研發中心6號樓5層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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