恭喜株式會社半導體能源研究所山崎舜平獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社半導體能源研究所申請的專利半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112510097B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011132912.6，技術領域涉及：H10D30/67；該發明授權半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備是由山崎舜平;岡崎健一;片山雅博;中田昌孝設計研發完成，并于2015-02-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備在說明書摘要公布了：本發明題為半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備。本發明的一個方式提供一種半導體裝置，其中包括使用氧化物半導體的交錯型晶體管及電容元件。本發明的一個方式是一種包括晶體管及電容元件的半導體裝置，其中晶體管包括：氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的柵電極；柵電極上的第二絕緣膜；第二絕緣膜上的第三絕緣膜；以及第三絕緣膜上的源電極及漏電極，源電極及漏電極與氧化物半導體膜電連接，電容元件包括：第一導電膜；第二導電膜；以及該第二絕緣膜，第一導電膜與柵電極設置在同一表面上，該第二導電膜與源電極及漏電極設置在同一表面上，該第二絕緣膜設置在第一導電膜與第二導電膜之間。
本發明授權半導體裝置、顯示裝置、顯示模塊以及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括：第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；所述氧化物半導體膜上的柵極絕緣膜；所述柵極絕緣膜上的柵電極；所述柵電極上的第二絕緣膜；與所述氧化物半導體膜電連接的源電極；以及與所述氧化物半導體膜電連接的漏電極，所述第二絕緣膜具有與所述柵極絕緣膜的上表面接觸的區域、與所述柵極絕緣膜的側面接觸的區域以及與所述氧化物半導體膜的上表面接觸的區域，所述第一絕緣膜具有第一區域和第二區域，所述第一區域與所述氧化物半導體膜重疊，所述第二區域不與所述氧化物半導體膜、所述柵極絕緣膜及所述柵電極的任一方重疊，所述第二區域的膜厚度小于所述第一區域的膜厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社半導體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣厚木市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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