恭喜長鑫存儲技術有限公司吳秉桓獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112992829B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911212672.8，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權半導體結構及其制備方法是由吳秉桓設計研發完成，并于2019-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體結構及其制備方法；包括：支撐層，包括焊盤區域；支撐層的焊盤區域內形成有若干個凹槽，凹槽底部的寬度大于凹槽開口的寬度；焊墊，位于支撐層上，且位于焊盤區域內，焊墊部分嵌入凹槽內。上述半導體結構中焊墊嵌入凹槽的部分與凹槽下部的側壁之間可以有空氣腔，在焊線鍵合工藝時即使焊墊平坦且大部分焊墊在鍵合壓力的作用下會被排擠開來，被排擠開來的焊墊會進入空氣腔內，可以避免保護層向上掀開或裂開，防止焊墊外溢，從而確保產品的品質；同時，因為焊墊會在焊線鍵合工藝時進入空氣腔內，會增加焊墊與支撐層的接觸面積，從而會增強整體結構的穩定性。
本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括：支撐層，包括焊盤區域；所述支撐層的焊盤區域內形成有若干個凹槽，所述凹槽底部的寬度大于所述凹槽開口的寬度；焊墊，位于所述支撐層上，且位于所述焊盤區域內，所述焊墊部分嵌入所述凹槽內，所述焊墊嵌入所述凹槽的部分與所述凹槽的下部的側壁具有空氣腔。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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