恭喜住友電工光電子器件創新株式會社倉知俊介獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜住友電工光電子器件創新株式會社申請的專利半導體裝置的制造方法及半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111584364B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010095523.4，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體裝置的制造方法及半導體裝置是由倉知俊介;駒谷務設計研發完成，并于2020-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置的制造方法及半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明提供半導體裝置的制造方法及半導體裝置。該半導體裝置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半導體層上形成源極電極及漏極電極；在氮化物半導體層上的源極電極與漏極電極之間形成具有包括Ni層及Ni層上的Au層的層疊構造的柵極電極，在與源極電極隔開間隔而相鄰的區域形成具有與柵極電極相同的層疊構造的第一金屬膜；形成與源極電極和第一金屬膜接觸的第二金屬膜；形成從SiC基板的背面到達第一金屬膜的孔；及在孔內形成從背面到達第一金屬膜的金屬通孔。
本發明授權半導體裝置的制造方法及半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置的制造方法，具備如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半導體層上堆積絕緣膜；將沿第一方向排列的源極電極及漏極電極形成于所述絕緣膜的與所述源極電極及所述漏極電極對應的各開口內；將位于所述氮化物半導體層上的所述源極電極與所述漏極電極之間的柵極電極形成于所述絕緣膜的與所述柵極電極對應的開口內；將位于與所述源極電極隔開間隔而相鄰的區域并包括Ni層的第一金屬膜形成于所述絕緣膜的與所述第一金屬膜對應的開口內；形成位于所述絕緣膜上，與所述源極電極和所述第一金屬膜接觸，并將所述源極電極和所述第一金屬膜電連接的第二金屬膜；形成從所述SiC基板的背面到達所述第一金屬膜的孔；及在所述孔內形成從所述背面到達所述第一金屬膜的金屬通孔，所述源極電極包括沿所述第一方向排列的第一部分和第二部分，所述第一金屬膜形成于所述第一部分與所述第二部分之間，在所述第一金屬膜與所述第一部分及所述第二部分之間存在所述絕緣膜。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人住友電工光電子器件創新株式會社，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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