恭喜朗姆研究公司普拉尼亞·南納帕內(nèi)尼獲國家專利權
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龍圖騰網(wǎng)恭喜朗姆研究公司申請的專利原子層沉積期間的快速沖洗清掃獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN113728415B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202080029930.3，技術領域涉及：H01L21/285；該發(fā)明授權原子層沉積期間的快速沖洗清掃是由普拉尼亞·南納帕內(nèi)尼;塞馬·埃梅茲;諾維·特約克洛;鄧若鵬;于天驊;巴曉蘭;高舉文;桑杰·戈皮納特設計研發(fā)完成，并于2020-04-15向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。
本原子層沉積期間的快速沖洗清掃在說明書摘要公布了：本文提供用于在原子層沉積ALD工藝期間清掃處理室的方法和相關裝置。所述方法涉及使清掃氣體從一個或多個蓄氣器中流出以從處理室中去除處理氣體。在清掃氣體流動之后，額外的反應物可被引入處理室以繼續(xù)ALD循環(huán)。
本發(fā)明授權原子層沉積期間的快速沖洗清掃在權利要求書中公布了：1.一種快速沖洗清掃的方法，其包括：向室壓強小于100托的室提供半導體襯底，其中所述半導體襯底包括部分制造的三維3-DNAND結(jié)構，該結(jié)構包括側(cè)壁和在所述側(cè)壁中的通向多個特征的多個開口，所述特征具有通過所述開口能流體進入的多個內(nèi)部區(qū)域；通過多次ALD循環(huán)在所述半導體襯底上沉積材料，其中每個循環(huán)包括依次使以下物質(zhì)流入所述室：還原劑；第一清掃氣體；鎢前體；和第二清掃氣體；以及其中使所述第一清掃氣體流動和使所述第二清掃氣體流動的每一者都包括使清掃氣體從具有第一增壓壓強的第一蓄氣器流出并流入所述室，接著在使所述清掃氣體從所述第一蓄氣器流出的5秒內(nèi)使清掃氣體從具有第二增壓壓強的第二蓄氣器流出并流入所述室，所述第一增壓壓強和所述第二增壓壓強介于400托和1000托之間。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢嗳?a target="_blank" rel="noopener noreferrer nofollow" >朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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