恭喜晶元光電股份有限公司張耀儒獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜晶元光電股份有限公司申請的專利半導體元件及半導體元件的封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111952422B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010361876.4，技術領域涉及：H10H20/832；該發明授權半導體元件及半導體元件的封裝結構是由張耀儒;廖文祿;張永富;張翔;陳孟揚;胖韻馨;蕭翊設計研發完成，并于2020-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體元件及半導體元件的封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體元件及半導體元件的封裝結構。半導體元件包括基底、半導體結構及導電反射結構。基底具有一第一側以及相對于第一側的一第二側。半導體結構位于基底的第一側。導電反射結構位于基底的第二側。導電反射結構包括一金屬氧化結構以及一金屬結構。金屬氧化結構位于金屬結構與基底之間。金屬氧化結構直接接觸第二側的表面。
本發明授權半導體元件及半導體元件的封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體元件，其特征在于，該半導體元件包括：基底，具有第一側以及相對于該第一側的第二側；半導體結構，位于該基底的該第一側，并包括第一半導體層、第二半導體層以及位于該第一半導體層及該第二半導體層之間的活性區；以及導電反射結構，位于該基底的該第二側，且包括金屬氧化結構以及金屬結構，該金屬氧化結構位于該金屬結構與該基底之間，該金屬結構包括第一金屬層及第二金屬層，該第一金屬層位于該第二金屬層及該金屬氧化結構之間；接觸層，位于該基底與該金屬氧化結構之間并與該基底的該第二側相接；以及介電材料層，位于該基底與該金屬氧化結構之間并與該基底的該第二側相接，且該介電材料層與該接觸層隔開一距離；其中該第一金屬層具有第一寬度，該第二金屬層具有大于該第一寬度的第二寬度，該活性區具有小于該第一寬度的第三寬度。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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