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龍圖騰網恭喜日機裝株式會社申請的專利氮化物半導體紫外線發光元件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115868033B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080102781.9，技術領域涉及：H10H20/82；該發明授權氮化物半導體紫外線發光元件及其制造方法是由平野光;長澤陽祐設計研發完成，并于2020-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本氮化物半導體紫外線發光元件及其制造方法在說明書摘要公布了：氮化物半導體紫外線發光元件具備將包含纖鋅礦構造的A1GaN系半導體的n型層、活性層及p型層層疊于上下方向的發光元件構造部，n型層以n型A1GaN系半導體構成，活性層包含以A1GaN系半導體構成的1層以上的阱層，p型層以p型AlGaN系半導體構成，n型層與活性層內的各半導體層具有形成了平行于0001面的多階狀的平臺的表面的外延生長層，n型層具有多個第1Ga富化區域，該第1Ga富化區域是在n型層內平均地分散存在的AlN摩爾分數局部為低的層狀區域且包含AlGaN組成比為整數比的Al2Ga1N3富化區域，在第2Ga富化區域內，存在AlGaN組成比成為整數比的Al1Ga1N2或Al5Ga7N12的AlGaN區域。

本發明授權氮化物半導體紫外線發光元件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化物半導體紫外線發光元件，具備將包含纖鋅礦構造的AlGaN系半導體的n型層、活性層及p型層層疊于上下方向的發光元件構造部，所述氮化物半導體紫外線發光元件的特征在于，所述n型層以n型AlGaN系半導體構成，配置于所述n型層與所述p型層之間的所述活性層，具有包含AlGaN系半導體所構成的1層以上的阱層的量子阱構造，所述p型層以p型AlGaN系半導體構成，所述n型層與所述活性層內的各半導體層是具有形成了平行于0001面的多階狀的平臺的表面的外延生長層，所述n型層具有多個第1Ga富化區域，該第1Ga富化區域是在所述n型層內平均地分散存在的AlN摩爾分數局部低的層狀區域且包含AlGaN組成比成為整數比的Al2Ga1N3的n型AlGaN區域，與所述n型層的上表面正交的第1平面上的所述第1Ga富化區域的各延伸方向相對于所述n型層的所述上表面與所述第1平面的交線傾斜，所述阱層的所述多階狀的平臺的鄰接的平臺間的邊界區域部分具有同樣在所述阱層內AlN摩爾分數局部低的第2Ga富化區域，在所述第2Ga富化區域內，存在AlGaN組成比成為整數比的Al1Ga1N2或Al5Ga7N12的AlGaN區域。

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