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龍圖騰網(wǎng)恭喜日機(jī)裝株式會社申請的專利氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115868033B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080102781.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/82；該發(fā)明授權(quán)氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件及其制造方法是由平野光;長澤陽祐設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-07-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件及其制造方法在說明書摘要公布了：氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件具備將包含纖鋅礦構(gòu)造的A1GaN系半導(dǎo)體的n型層、活性層及p型層層疊于上下方向的發(fā)光元件構(gòu)造部，n型層以n型A1GaN系半導(dǎo)體構(gòu)成，活性層包含以A1GaN系半導(dǎo)體構(gòu)成的1層以上的阱層，p型層以p型AlGaN系半導(dǎo)體構(gòu)成，n型層與活性層內(nèi)的各半導(dǎo)體層具有形成了平行于0001面的多階狀的平臺的表面的外延生長層，n型層具有多個(gè)第1Ga富化區(qū)域，該第1Ga富化區(qū)域是在n型層內(nèi)平均地分散存在的AlN摩爾分?jǐn)?shù)局部為低的層狀區(qū)域且包含AlGaN組成比為整數(shù)比的Al2Ga1N3富化區(qū)域，在第2Ga富化區(qū)域內(nèi)，存在AlGaN組成比成為整數(shù)比的Al1Ga1N2或Al5Ga7N12的AlGaN區(qū)域。

本發(fā)明授權(quán)氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件，具備將包含纖鋅礦構(gòu)造的AlGaN系半導(dǎo)體的n型層、活性層及p型層層疊于上下方向的發(fā)光元件構(gòu)造部，所述氮化物半導(dǎo)體紫外線發(fā)光元件的特征在于，所述n型層以n型AlGaN系半導(dǎo)體構(gòu)成，配置于所述n型層與所述p型層之間的所述活性層，具有包含AlGaN系半導(dǎo)體所構(gòu)成的1層以上的阱層的量子阱構(gòu)造，所述p型層以p型AlGaN系半導(dǎo)體構(gòu)成，所述n型層與所述活性層內(nèi)的各半導(dǎo)體層是具有形成了平行于0001面的多階狀的平臺的表面的外延生長層，所述n型層具有多個(gè)第1Ga富化區(qū)域，該第1Ga富化區(qū)域是在所述n型層內(nèi)平均地分散存在的AlN摩爾分?jǐn)?shù)局部低的層狀區(qū)域且包含AlGaN組成比成為整數(shù)比的Al2Ga1N3的n型AlGaN區(qū)域，與所述n型層的上表面正交的第1平面上的所述第1Ga富化區(qū)域的各延伸方向相對于所述n型層的所述上表面與所述第1平面的交線傾斜，所述阱層的所述多階狀的平臺的鄰接的平臺間的邊界區(qū)域部分具有同樣在所述阱層內(nèi)AlN摩爾分?jǐn)?shù)局部低的第2Ga富化區(qū)域，在所述第2Ga富化區(qū)域內(nèi)，存在AlGaN組成比成為整數(shù)比的Al1Ga1N2或Al5Ga7N12的AlGaN區(qū)域。

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