浙江金洲電子科技有限公司姜巖峰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江金洲電子科技有限公司申請的專利一種超低功耗類神經電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN112311384B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202010952287.3,技術領域涉及:H03K19/094;該發明授權一種超低功耗類神經電路是由姜巖峰;潘光臣;王群亮設計研發完成,并于2020-09-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種超低功耗類神經電路在說明書摘要公布了:本發明公開了一種超低功耗類神經電路,屬于神經電路技術領域。包括:光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器;所述光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器級聯,放大器、鏡像電流源的比較器具有公共部分;放大器將光電接收器的輸入信號進行放大,光電接收器用于產生類神經信號,放大器用于將輸入的類神經信號放大。本發明的電路由兩個反相器組成的放大器與五個晶體管組成的比較器相結合,在維持原有功能的同時,有效地減少了電路中的支路數量,進而降低類神經模塊的功耗。
本發明授權一種超低功耗類神經電路在權利要求書中公布了:1.一種超低功耗類神經電路,其特征在于,包括:光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器;所述光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器級聯,放大器、鏡像電流源的比較器具有公共部分;放大器將光電接收器的輸入信號進行放大,光電接收器用于產生類神經信號,放大器用于將輸入的類神經信號放大;鏡像電流源的比較器為雙端輸入單端輸出結構;當膜電壓Vmem高于閾值電壓Vthr時,鏡像電流源的比較器輸出端電壓Vc為低電平,反之,為高電平;所述鏡像電流源的比較器包括四個MOS器件M0、M1、M3、M4;MOS器件M0的漏極與MOS器件M3的漏極連接;MOS器件M0的源極與MOS器件M1的源極連接,MOS器件M1的漏極與MOS器件M4的漏極連接,MOS器件M3的柵極與MOS器件M4的柵極連接,MOS器件M3的柵極與MOS器件M3的漏極連接;MOS器件M3的源極與MOS器件M4的源極分別與電源電壓連接,MOS器件M1的柵極為負端輸入,并與膜電壓Vmem的輸入端連接;所述放大器包括四個MOS器件M1、M4、M5、M6;其中,M1、M4是放大器與鏡像電流源的比較器的公共部分;MOS器件M5的柵極與MOS器件M5的柵極連接;MOS器件M1、M4的漏極之間與MOS器件M5、M6的柵極之間連接,并將MOS器件M1、M4的漏極之間的輸出作為比較器輸出端電壓Vc,MOS器件M5、M6的漏極之間連接輸出端電壓Vout;還包括尾電流源電路,包括MOS器件M2;MOS器件M0、M1的源極之間與MOS器件M2的漏極連接;還包括支路電流源電路,包括MOS器件M7;MOS器件M7的漏極與膜電壓Vmem的輸入端連接,膜電壓Vmem的輸入端設有輸入電流端Iin,Iin與電源電壓連接;MOS器件M7的柵極與MOS器件M2的柵極連接,MOS器件M7的柵極還與輸出端電壓Vout連接;MOS器件M7寬長比在1:1至100:1范圍內。
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