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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江金洲電子科技有限公司申請的專利一種超低功耗類神經(jīng)電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112311384B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202010952287.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K19/094；該發(fā)明授權(quán)一種超低功耗類神經(jīng)電路是由姜巖峰;潘光臣;王群亮設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種超低功耗類神經(jīng)電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種超低功耗類神經(jīng)電路，屬于神經(jīng)電路技術(shù)領(lǐng)域。包括：光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器；所述光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器級聯(lián)，放大器、鏡像電流源的比較器具有公共部分；放大器將光電接收器的輸入信號進行放大，光電接收器用于產(chǎn)生類神經(jīng)信號，放大器用于將輸入的類神經(jīng)信號放大。本發(fā)明的電路由兩個反相器組成的放大器與五個晶體管組成的比較器相結(jié)合，在維持原有功能的同時，有效地減少了電路中的支路數(shù)量，進而降低類神經(jīng)模塊的功耗。

本發(fā)明授權(quán)一種超低功耗類神經(jīng)電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種超低功耗類神經(jīng)電路，其特征在于，包括：光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器；所述光電接收器、放大器、鏡像電流源的比較器級聯(lián)，放大器、鏡像電流源的比較器具有公共部分；放大器將光電接收器的輸入信號進行放大，光電接收器用于產(chǎn)生類神經(jīng)信號，放大器用于將輸入的類神經(jīng)信號放大；鏡像電流源的比較器為雙端輸入單端輸出結(jié)構(gòu)；當(dāng)膜電壓Vmem高于閾值電壓Vthr時，鏡像電流源的比較器輸出端電壓Vc為低電平，反之，為高電平；所述鏡像電流源的比較器包括四個MOS器件M0、M1、M3、M4；MOS器件M0的漏極與MOS器件M3的漏極連接；MOS器件M0的源極與MOS器件M1的源極連接，MOS器件M1的漏極與MOS器件M4的漏極連接，MOS器件M3的柵極與MOS器件M4的柵極連接，MOS器件M3的柵極與MOS器件M3的漏極連接；MOS器件M3的源極與MOS器件M4的源極分別與電源電壓連接，MOS器件M1的柵極為負端輸入，并與膜電壓Vmem的輸入端連接；所述放大器包括四個MOS器件M1、M4、M5、M6；其中，M1、M4是放大器與鏡像電流源的比較器的公共部分；MOS器件M5的柵極與MOS器件M5的柵極連接；MOS器件M1、M4的漏極之間與MOS器件M5、M6的柵極之間連接，并將MOS器件M1、M4的漏極之間的輸出作為比較器輸出端電壓Vc，MOS器件M5、M6的漏極之間連接輸出端電壓Vout；還包括尾電流源電路，包括MOS器件M2；MOS器件M0、M1的源極之間與MOS器件M2的漏極連接；還包括支路電流源電路，包括MOS器件M7；MOS器件M7的漏極與膜電壓Vmem的輸入端連接，膜電壓Vmem的輸入端設(shè)有輸入電流端Iin，Iin與電源電壓連接；MOS器件M7的柵極與MOS器件M2的柵極連接，MOS器件M7的柵極還與輸出端電壓Vout連接；MOS器件M7寬長比在1:1至100:1范圍內(nèi)。

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