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恭喜北京晨晶電子有限公司林立男獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜北京晨晶電子有限公司申請的專利MEMS減振結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114538367B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011331784.8,技術領域涉及:B81B7/00;該發明授權MEMS減振結構及其制備方法是由林立男;張琳琳;廖興才;褚偉航;朱京;裴志強設計研發完成,并于2020-11-24向國家知識產權局提交的專利申請。

MEMS減振結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明涉及減振設備技術領域,提供一種MEMS減振結構及其制備方法,其中MEMS減振結構包括:基部,所述基部適于與芯片固定連接;至少兩對振動臂,所述振動臂一端與所述基部連接,每對所述振動臂分置于所示基部的兩個相對側壁且以所述基部的重心中心對稱排布;以及多個固定部,各所述固定部與各所述振動臂一一對應固定,振動臂所述固定部適于與MEMS小型化器件的基底固定連接。本發明實施例中的MEMS減振結構滿足實現小型化器件的減振需求,隔離來自載體的強烈振動和沖擊,具有結構簡單、易于生產、減振效果好和使用安全等優點。

本發明授權MEMS減振結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種MEMS減振結構,其特征在于,包括:基部,所述基部適于與芯片固定連接;至少兩對振動臂,所述振動臂一端與所述基部連接,每對所述振動臂分置于所示基部的兩個相對側壁且以所述基部的重心中心對稱排布;以及多個固定部,各所述固定部與各所述振動臂一一對應固定,所述固定部適于與MEMS小型化器件的基底固定連接;所述MEMS減振結構還包括金屬膜,所述金屬膜覆蓋在所述基部、振動臂和固定部表面,所述金屬膜用于所述基部上芯片電極的引出;所述振動臂的總長度L滿足:0.02mm≤L≤20mm,所述振動臂的寬度W滿足:0.005mm≤W≤2mm;所述基部的裝配面積與芯片的裝配面積滿足:。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人北京晨晶電子有限公司,其通訊地址為:100020 北京市朝陽區酒仙橋路2號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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