買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜三星顯示有限公司申請的專利納米棒發(fā)光器件及其制造方法、和顯示裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113823718B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011515556.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/819；該發(fā)明授權(quán)納米棒發(fā)光器件及其制造方法、和顯示裝置是由崔濬熙;金洛鉉;樸珍珠;韓周憲設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本納米棒發(fā)光器件及其制造方法、和顯示裝置在說明書摘要公布了：提供了一種納米棒發(fā)光器件、其制造方法以及包括該納米棒發(fā)光器件的顯示裝置，該納米棒發(fā)光器件包括：摻有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上方的發(fā)射層、設(shè)置在發(fā)射層上方并摻有與第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)電性相反的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)的第二半導(dǎo)體層、設(shè)置在發(fā)射層的下表面的中央部分與第一半導(dǎo)體層和發(fā)射層的上表面的中央部分與第二半導(dǎo)體層中的至少一個(gè)之間的導(dǎo)電層、以及圍繞導(dǎo)電層的側(cè)壁的電流阻擋層。

本發(fā)明授權(quán)納米棒發(fā)光器件及其制造方法、和顯示裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米棒發(fā)光器件，包括：第一半導(dǎo)體層，摻有第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)；發(fā)射層，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上方；第二半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述發(fā)射層上方并摻有與所述第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)電性相反的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)；導(dǎo)電層，設(shè)置在以下至少之一之間：所述發(fā)射層的下表面的中央部分與所述第一半導(dǎo)體層的上表面的中央部分；以及所述發(fā)射層的上表面的中央部分與所述第二半導(dǎo)體層的下表面的中央部分；以及電流阻擋層，圍繞所述導(dǎo)電層的側(cè)壁，其中，所述電流阻擋層直接設(shè)置在以下至少之一之間：所述發(fā)射層的所述下表面的邊緣與所述第一半導(dǎo)體層的所述上表面的邊緣；以及所述發(fā)射層的所述上表面的邊緣與所述第二半導(dǎo)體層的所述下表面的邊緣。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人三星顯示有限公司，其通訊地址為：韓國京畿道龍仁市；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。