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龍圖騰網恭喜信越化學工業株式會社申請的專利有機膜形成材料、有機膜的形成方法、圖案形成方法、以及化合物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113050373B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011564357.4，技術領域涉及：G03F7/004；該發明授權有機膜形成材料、有機膜的形成方法、圖案形成方法、以及化合物是由郡大佑;中原貴佳;美谷島祐介;野田和美設計研發完成，并于2020-12-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本有機膜形成材料、有機膜的形成方法、圖案形成方法、以及化合物在說明書摘要公布了：本發明涉及有機膜形成材料、有機膜的形成方法、圖案形成方法、以及化合物。本發明提供用以形成兼顧高程度的填埋特性高程度的平坦化特性和基板間的優良的密合力的有機膜的有機膜材料。提供含有下列通式1表示的化合物及有機溶劑的有機膜形成材料。該通式1中，X為碳數2～50的n1價的有機基團，n1表示2～10的整數，R1為下式2～4中的至少一者以上；該通式3中，l1表示0或1；該通式4中，l2表示0或1。

本發明授權有機膜形成材料、有機膜的形成方法、圖案形成方法、以及化合物在權利要求書中公布了：1.光刻使用的多層抗蝕劑膜的抗蝕劑下層膜或半導體制造用有機平坦膜，其特征為，是由包含下列通式1表示的化合物及有機溶劑的有機膜形成材料形成的； 該通式1中，X為碳數2～50的n1價的有機基團，n1表示2～10的整數，R1為下列通式2～4中的至少一者以上； 該通式2中，＊代表對于前述有機基團X的鍵結部位，Ra及Rb表示碳數1～10的直鏈或分支狀的飽和或不飽和的烴基，Rc表示氫原子、甲基或苯基，m1及m2表示0或1的整數，n2及n3表示1～7的整數，符合1≤n2+n3≤7的關系，n4表示1～10的整數； 該通式3中，＊代表對于前述有機基團X的鍵結部位，Rd及Re表示氫原子、或碳數1～10的直鏈或分支狀的飽和或不飽和的烴基，Rf表示氫原子、甲基或苯基，m3及m4表示0或1的整數，n5及n6表示1～7的整數，符合1≤n5+n6≤7的關系；l1表示1，氧原子作為醚鍵而形成芳香環間的橋聯結構； 該通式4中，＊代表對于前述有機基團X的鍵結部位，Rg及Rh表示氫原子、或碳數1～10的直鏈或分支狀的飽和或不飽和的烴基，m5及m6表示0或1的整數，n7及n8表示1～7的整數且符合1≤n7+n8≤7的關系；l2表示0或1，l2＝1時，氧原子作為醚鍵而形成芳香環間的橋聯結構，l2＝0時，不存在成為芳香環間的橋聯結構的醚鍵。

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