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龍圖騰網(wǎng)獲悉艾爾默斯半導(dǎo)體歐洲股份公司申請(qǐng)的專(zhuān)利光模塊和具有至少一個(gè)這種光模塊的LiDAR設(shè)備獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114981680B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202180008033.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01S7/481；該發(fā)明授權(quán)光模塊和具有至少一個(gè)這種光模塊的LiDAR設(shè)備是由安德烈·斯羅維希;法比安·芬克迪設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-07向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本光模塊和具有至少一個(gè)這種光模塊的LiDAR設(shè)備在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：光模塊具有帶有電路裸片的載體TR，其中在載體TR的上側(cè)TRO上發(fā)光二極管裸片D1D和分配給該發(fā)光二極管裸片的電荷存儲(chǔ)部件LSBT借助于裸片到裸片接合電連接到晶體管Tdis的傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)TAF1、TAF2。兩個(gè)裸片與晶體管Tdis之間的傳導(dǎo)路徑LPF之間的電連接盡可能短。在兩個(gè)裸片的上側(cè)分別存在連接場(chǎng)DAF2、LAF2，它們通過(guò)短接合線BD1相互連接。該放電回路在減少寄生電感和歐姆電阻方面進(jìn)行了優(yōu)化。電荷存儲(chǔ)部件LSBT借助于充電電路B1充電，該充電電路通過(guò)第二接合線BD2電連接到電荷存儲(chǔ)部件LSBT。第二接合線BD2比第一接合線BD1長(zhǎng)。所述光模塊可以是LiDAR設(shè)備的一部分，該LiDAR設(shè)備可以具有特殊的光學(xué)系統(tǒng)。晶體管Tdis的驅(qū)動(dòng)器電路同樣可以以特殊方式設(shè)計(jì)。

本發(fā)明授權(quán)光模塊和具有至少一個(gè)這種光模塊的LiDAR設(shè)備在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種光模塊，包括-設(shè)置有上側(cè)TRO的載體TR，在其中布置有具有集成電路的電路裸片，-其中所述電路裸片具有上側(cè)，-形成在所述電路裸片的上側(cè)中的晶體管Tdis，-其中所述晶體管Tdis具有導(dǎo)通或截止的可切換傳導(dǎo)路徑LPF，所述傳導(dǎo)路徑具有第一端區(qū)域LPF1和第二端區(qū)域LPF2，其中所述第一端區(qū)域LPF1電連接到第一傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)TAF1，而所述第二端區(qū)域LPF2電連接到第二傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)TAF2，所述第一傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)和所述第二傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)均暴露在所述載體TR的上側(cè)TRO上，并且其中所述晶體管Tdis具有用于導(dǎo)通和截止地切換所述傳導(dǎo)路徑LPF的控制連接端GTdis，-具有發(fā)光二極管或激光二極管的發(fā)光二極管裸片D1D，包括具有第一連接場(chǎng)DAF1的下側(cè)和具有第二連接場(chǎng)DAF2的上側(cè)，-其中所述發(fā)光二極管裸片D1D以其第一連接場(chǎng)DAF1平放地布置在所述晶體管Tdis的第一傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)TAF1上，并且這兩個(gè)連接場(chǎng)彼此電連接，-具有電荷存儲(chǔ)器C1-Cn的電荷存儲(chǔ)部件LSBT，所述電荷存儲(chǔ)部件包括具有第一連接場(chǎng)LAF1的下側(cè)和具有第二連接場(chǎng)LAF2的上側(cè)，-其中所述電荷存儲(chǔ)部件LSBT以其第一連接場(chǎng)LAF1平放地布置在所述晶體管Tdis的第二傳導(dǎo)路徑連接場(chǎng)TAF2上，并且這兩個(gè)連接場(chǎng)彼此電連接，-至少一個(gè)第一接合線BD1，其將所述發(fā)光二極管裸片D1D的第二連接場(chǎng)DAF1與所述電荷存儲(chǔ)部件LSBT的第二連接場(chǎng)LAF2電連接，-集成在所述電路裸片中并具有輸出端的充電電路B1-Bn，用于為所述電荷存儲(chǔ)部件LSBT充電，以及-集成在所述電路裸片中的控制電路CTR，用于控制所述晶體管Tdis和所述充電電路B1-Bn，-其中給所述充電電路B1-Bn分配充電連接場(chǎng)AF，該充電連接場(chǎng)暴露在所述載體TR的上側(cè)TRO上并且與所述充電電路B1-Bn的輸出端電連接，-其中所述充電電路B1-Bn的充電連接場(chǎng)AF通過(guò)至少一個(gè)第二接合線BD2與所述電荷存儲(chǔ)部件LSBT的第二連接場(chǎng)LAF2電連接，以及-其中所述控制電路CTR控制所述充電電路B1-Bn以將所述電荷存儲(chǔ)部件LSBT充電至由所述發(fā)光二極管裸片D1D產(chǎn)生光脈沖所需要的充電程度，然后控制所述晶體管Tdis以切換為導(dǎo)通其傳導(dǎo)路徑LPF。

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