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龍圖騰網(wǎng)恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115223927B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110429310.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由王士京設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，方法包括：形成保形覆蓋目標(biāo)層頂部、以及核心層頂部和側(cè)壁的掩膜側(cè)墻層，在第一區(qū)域中，與開口延伸方向相垂直的方向上，位于核心層的相對側(cè)壁上的掩膜側(cè)墻層之間具有最小間隔值；形成保形覆蓋掩膜側(cè)墻層的研磨停止層，研磨停止層的厚度大于或等于最小間隔值的一半；形成覆蓋研磨停止層頂部的填充材料層；平坦化填充材料層，剩余的填充材料層作為填充層，且填充層的頂部與第一區(qū)域中的研磨停止層的頂部相齊平；以掩膜側(cè)墻層的頂部為停止位置，刻蝕去除高于掩膜側(cè)墻層頂部的研磨停止層和填充層，剩余的研磨停止層和填充層的頂部與掩膜側(cè)墻層的頂部齊平。降低了掩膜側(cè)墻層的頂部和側(cè)壁產(chǎn)生缺陷的概率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成目標(biāo)圖形的目標(biāo)層，所述基底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，形成于所述第一區(qū)域的相鄰所述目標(biāo)圖形的節(jié)距小于形成于所述第二區(qū)域的相鄰所述目標(biāo)圖形的節(jié)距，所述第一區(qū)域的目標(biāo)層頂部形成有核心層，所述核心層中形成有貫穿所述核心層的開口；形成保形覆蓋所述目標(biāo)層頂部、以及所述核心層頂部和側(cè)壁的掩膜側(cè)墻層，在所述第一區(qū)域中，與所述開口延伸方向相垂直的方向上，位于所述核心層的相對側(cè)壁上的掩膜側(cè)墻層之間具有最小間隔值；形成保形覆蓋所述掩膜側(cè)墻層的研磨停止層，所述研磨停止層的厚度大于或等于所述最小間隔值的一半；形成覆蓋所述研磨停止層頂部的填充材料層；平坦化所述填充材料層，剩余的所述填充材料層作為填充層，且所述填充層的頂部與所述第一區(qū)域中的研磨停止層的頂部相齊平；形成所述填充層后，以所述掩膜側(cè)墻層的頂部為停止位置，刻蝕去除高于所述掩膜側(cè)墻層頂部的所述研磨停止層和填充層，剩余的所述研磨停止層和填充層的頂部與所述掩膜側(cè)墻層的頂部齊平。

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