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龍圖騰網恭喜泰科天潤半導體科技(北京)有限公司申請的專利一種基于AlN的SiC PIN二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113964185B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111170403.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種基于AlN的SiC PIN二極管及其制造方法是由張瑜潔;施廣彥;李佳帥;李志君;黃波設計研發完成，并于2021-10-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于AlN的SiC PIN二極管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種基于AlN的SiCPIN二極管及其制造方法，所述二極管包括N型重摻雜半導體傳輸層的下側面連接至N型歐姆電極的上側面；N型輕摻雜AlN耐壓提高層的下側面連接至N型重摻雜半導體傳輸層的上側面；N型本征層的下側面連接至N型輕摻雜AlN耐壓提高層的上側面；P型重摻雜半導體傳輸層下側面連接至N型本征層的上側面；P型歐姆電極的下側面連接至P型重摻雜半導體傳輸層的上側面，提高SiCPIN二極管的耐電流能力，且AlN材料的導熱系數與SiC材料接近，其在PIN二極管中的縱向熱分布更均勻，不易出現集中的熱點，不易導致器件的熱失效。

本發明授權一種基于AlN的SiC PIN二極管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種基于AlN的高壓SiCPIN二極管，其特征在于：包括：一N型歐姆電極；一N型重摻雜半導體傳輸層，所述N型重摻雜半導體傳輸層的下側面連接至所述N型歐姆電極的上側面；一N型輕摻雜AlN耐壓提高層，所述N型輕摻雜AlN耐壓提高層的下側面連接至所述N型重摻雜半導體傳輸層的上側面；一N型本征層，所述N型本征層的下側面連接至所述N型輕摻雜AlN耐壓提高層的上側面；一P型重摻雜半導體傳輸層，所述P型重摻雜半導體傳輸層下側面連接至所述N型本征層的上側面；以及，一P型歐姆電極，所述P型歐姆電極的下側面連接至所述P型重摻雜半導體傳輸層的上側面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人泰科天潤半導體科技(北京)有限公司，其通訊地址為：100000 北京市海淀區西小口路66號中關村東升科技園B區1號樓106A、113A、115A、117A、119A、121A；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。