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龍圖騰網恭喜上海精測半導體技術有限公司申請的專利一種光學特性建模方法和裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114065592B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111425136.3，技術領域涉及：G06F30/23；該發明授權一種光學特性建模方法和裝置是由張曉雷;張厚道;施耀明設計研發完成，并于2021-11-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種光學特性建模方法和裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光學特性建模方法和裝置，該方法包括：將周期介質內的微結構在z方向上劃分為N層薄片；針對同一層微結構的薄片，執行如下處理：獲取所述薄片在周期空間xy平面上投影的各個封閉區域的幾何信息；根據所述幾何信息，對所述周期空間進行劃分，得到x方向劃分的目標積分子區間和y方向劃分的目標積分子區間；計算周期介質的介電系數的傅里葉系數和周期介質的介電系數的托普利茲矩陣，以及進行嚴格耦合波分析，以實現周期介質的光學特性建模，該方法通過對積分區間的劃分方法進行優化，從而高效地得到精確的周期介質的介電系數的傅里葉系數和介電系數的托普利茲矩陣。

本發明授權一種光學特性建模方法和裝置在權利要求書中公布了：1.一種光學特性建模方法，其特征在于，該方法包括：將周期介質內的微結構在z方向上劃分為N層薄片，N為正整數；針對同一層微結構的薄片，執行如下處理：獲取所述薄片在周期空間xy平面上投影的各個封閉區域的幾何信息；根據所述幾何信息，對所述周期空間進行劃分，得到x方向劃分的目標積分子區間和y方向劃分的目標積分子區間；計算周期介質的介電系數的傅里葉系數和周期介質的介電系數的托普利茲矩陣；利用所述周期介質的介電系數的傅里葉系數和所述周期介質的介電系數的托普利茲矩陣進行嚴格耦合波分析，以實現所述周期介質的光學特性建模；所述獲取所述薄片在周期空間xy平面上投影的各個封閉區域的幾何信息，包括：獲取所述薄片在周期空間xy平面上投影的各個封閉區域，并將所述各個封閉區域的邊界表示為各個多邊形；獲取每個多邊形頂點的x坐標和y坐標，構成各個封閉區域的幾何信息，所述幾何信息包括x坐標的集合和y坐標的集合；根據所述幾何信息，對所述周期空間進行劃分，得到x方向劃分的目標積分子區間和y方向劃分的目標積分子區間，包括：將所述x坐標的集合和所述y坐標的集合中的坐標分別按照由大到小或者由小到大的順序排列，順序排列后的所述x坐標的集合和所述y坐標的集合中，各自任意相鄰兩個坐標構成候選積分子區間；確定所述候選積分子區間是否為非均勻區間；獲取所述候選積分子區間長度；當所述候選積分子區間為非均勻區間，且所述候選積分子區間長度大于或等于預設步長時，將所述候選積分子區間劃分為多個目標積分子區間；否則，將所述候選積分子區間作為一個目標積分子區間。

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