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龍圖騰網(wǎng)恭喜山東大學申請的專利一種具有溝槽隔離層的垂直型功率半導體器件及其制備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114220871B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111555912.1，技術(shù)領域涉及：H10D8/60；該發(fā)明授權(quán)一種具有溝槽隔離層的垂直型功率半導體器件及其制備是由劉超;王珩設計研發(fā)完成，并于2021-12-17向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有溝槽隔離層的垂直型功率半導體器件及其制備在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種具有溝槽隔離層的垂直型Ⅲ族氮化物功率半導體器件結(jié)構(gòu)，由下自上依次包括：陰極電極、重摻雜N型氮化物襯底區(qū)、輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)、重摻雜P型氮化物區(qū)、陽極電極，重摻雜P型氮化物區(qū)和輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)豎直接觸面之間設置有隔離層。本發(fā)明溝槽隔離層結(jié)構(gòu)的設置優(yōu)化了器件內(nèi)部的電場分布，有效地提升了器件的反向性能，并保證了優(yōu)異的正向特性。

本發(fā)明授權(quán)一種具有溝槽隔離層的垂直型功率半導體器件及其制備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有溝槽隔離層的垂直型Ⅲ族氮化物功率半導體器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，由下自上依次包括：陰極電極、重摻雜N型氮化物襯底區(qū)、輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)、重摻雜P型氮化物區(qū)、陽極電極，重摻雜P型氮化物區(qū)和輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)豎直接觸面之間設置有隔離層；所述隔離層為二氧化硅、氮化硅、氧化鉿、氮化鋁或氧化鋁；重摻雜P型氮化物區(qū)和輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)的兩個豎直接觸面之間均設置有隔離層，每個隔離層的橫向厚度均為50nm-150nm；重摻雜P型氮化物區(qū)的摻雜元素為鎂離子，有效摻雜濃度為1e17cm-3；所述輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)由輕摻雜N型氮化物漂移層和輕摻雜N型氮化物突出體組成；輕摻雜N型氮化物突出體為長方體結(jié)構(gòu)，輕摻雜N型氮化物突出體沿輕摻雜N型氮化物漂移層的長度方向設置于輕摻雜N型氮化物漂移層上方的中間位置，輕摻雜N型氮化物突出體和輕摻雜N型氮化物漂移層構(gòu)成“凸”字形的豎直截面；所述重摻雜P型氮化物區(qū)設置于輕摻雜N型氮化物突出體兩側(cè)、輕摻雜N型氮化物漂移層的上表面，重摻雜P型氮化物區(qū)的厚度與輕摻雜N型氮化物突出體的厚度相同；所述輕摻雜N型氮化物突出體的厚度為0.5μm-3.0μm，寬度為1μm-5μm；隔離層高度與輕摻雜N型氮化物突出體的厚度相同；陽極電極包括肖特基接觸陽極電極和歐姆接觸陽極電極；肖特基接觸陽極電極設置于輕摻雜N型氮化物漂移區(qū)的頂面和隔離層的上表面；所述歐姆接觸陽極電極設置于重摻雜P型氮化物區(qū)上表面。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人山東大學，其通訊地址為：250101 山東省濟南市歷城區(qū)舜華路1500號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。