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龍圖騰網(wǎng)恭喜銳迪科微電子(上海)有限公司申請(qǐng)的專利一種高耐壓的SOI CMOS射頻開關(guān)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114039584B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111609479.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H03K17/041；該發(fā)明授權(quán)一種高耐壓的SOI CMOS射頻開關(guān)是由趙鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種高耐壓的SOI CMOS射頻開關(guān)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及射頻開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種電容補(bǔ)償式SOICMOS射頻開關(guān)，包括一個(gè)固定端和至少一個(gè)選擇端，每個(gè)選擇端與固定端之間構(gòu)成一條通道，每條通道的主路徑為M個(gè)級(jí)聯(lián)的開關(guān)管，每條通道的開關(guān)管的柵極連接同一個(gè)控制電壓，每個(gè)開關(guān)管的源極和漏極之間均連接有電阻，每條通道從固定端開始選取N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管，N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管的源極和漏極之間分別連接有電容，開關(guān)管的源極和漏極之間的電容與該開關(guān)管的漏極和源極之間的電阻并聯(lián)，在實(shí)際使用時(shí)，N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管的源極和漏極之間的電容可以使射頻信號(hào)在關(guān)閉的通道上的開關(guān)管上均勻分布，保證關(guān)閉的通道上的開關(guān)管不會(huì)因?yàn)殡妷悍植疾痪粨舸M(jìn)而提高整個(gè)射頻開關(guān)的功率承載能力。

本發(fā)明授權(quán)一種高耐壓的SOI CMOS射頻開關(guān)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高耐壓的SOICMOS射頻開關(guān)，其特征在于：包括一個(gè)固定端和至少一個(gè)選擇端，每個(gè)選擇端與固定端之間構(gòu)成一條通道，每條通道的主路徑為M個(gè)級(jí)聯(lián)的開關(guān)管，每條通道的開關(guān)管的柵極連接同一個(gè)控制電壓，每個(gè)開關(guān)管的源極和漏極之間均連接有電阻，每條通道從所述固定端開始選取N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管，所述N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管的源極和漏極之間分別連接有電容，所述N個(gè)連續(xù)的開關(guān)管的源極和漏極之間的電容的容值沿遠(yuǎn)離所述固定端的方向逐漸減小，開關(guān)管的源極和漏極之間的電容與該開關(guān)管的漏極和源極之間的電阻并聯(lián)，M與N均為整數(shù)，N小于M。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人銳迪科微電子(上海)有限公司，其通訊地址為：200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)祖沖之路2288弄3號(hào)335室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。