恭喜廈門紫硅半導體科技有限公司江長福獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜廈門紫硅半導體科技有限公司申請的專利一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117146B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210532495.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件及其制備方法是由江長福;周賢權設計研發完成，并于2022-05-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件及其制備方法，由下至上包括歐姆接觸電極、n++型SiC襯底基片、n+型緩沖層、漂移層和肖特基接觸電極；漂移層自下而上包括nx第一漂移層和n?第二漂移層，nx第一漂移層的摻雜濃度大于n?第二漂移層的摻雜濃度，n?第二漂移層之內設有p型屏蔽層；其中nx第一漂移層的摻雜濃度自下而上先由低變至高摻雜，后由高變至低摻雜。本發明降低SiC肖特基器件的導通壓降和功耗，同時提高器件長期穩定性。
本發明授權一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種具有低導通壓降的SiC基肖特基器件，其特征在于：由下至上包括歐姆接觸電極、n++型SiC襯底基片、n+型SiC緩沖層、SiC漂移層和肖特基接觸電極；漂移層自下而上包括nx第一漂移層和n-第二漂移層，nx第一漂移層的摻雜濃度大于n-第二漂移層的摻雜濃度，n-第二漂移層之內設有p型屏蔽層；其中nx第一漂移層的摻雜濃度自下而上先由低變至高摻雜，后由高變至低摻雜；其中所述nx第一漂移層的摻雜濃度最高不超過1×1017cm-3，最低不少于1×1015cm-3；所述n-第二漂移層的摻雜濃度范圍為1×1014~5×1015cm-3；所述n+型緩沖層的摻雜濃度范圍為1×1018~1×1019cm-3。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門紫硅半導體科技有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市湖里區創新創業園偉業南樓301E室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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