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龍圖騰網恭喜山東云海國創云計算裝備產業創新中心有限公司申請的專利一種制作MEMS開關器件的方法、裝置、設備及可讀介質獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274365B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210915412.2，技術領域涉及：H01H59/00；該發明授權一種制作MEMS開關器件的方法、裝置、設備及可讀介質是由余志偉設計研發完成，并于2022-07-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種制作MEMS開關器件的方法、裝置、設備及可讀介質在說明書摘要公布了：本發明提供了一種制作歐姆接觸式MEMS開關器件的方法、裝置、設備及可讀介質，方法包括：在第一基底的絕緣層表面通過掩膜刻蝕法制備出接觸電極和驅動電極，并通過化學氣相沉積法分別在接觸電極和驅動電極的表面鍍上第一單層石墨烯層；在第二基底的絕緣層表面通過掩膜刻蝕法制備出可動電極，并通過化學氣相沉積法在可動電極的表面鍍上第二單層石墨烯層；采用濕法刻蝕除去第二基底的絕緣層的預設部分；將第一基底與第二基底通過鍵合的方式組裝在一起以形成具有單層石墨烯涂層的歐姆接觸式MEMS開關。通過使用本發明的方案，能夠增加MEMS開關器件的壽命，能夠減小MEMS開關器件的接觸電阻。

本發明授權一種制作MEMS開關器件的方法、裝置、設備及可讀介質在權利要求書中公布了：1.一種制作歐姆接觸式MEMS開關器件的方法，其特征在于，包括以下步驟：在第一基底的絕緣層表面通過掩膜刻蝕法制備出接觸電極和驅動電極，并通過化學氣相沉積法分別在接觸電極和驅動電極的表面鍍上第一單層石墨烯層；其中，在第一單層石墨烯層生長過程中保持氣流的方向為恒定的方向；在第二基底的絕緣層表面通過掩膜刻蝕法制備出可動電極，并通過化學氣相沉積法在可動電極的表面鍍上第二單層石墨烯層；其中，通過刻蝕得到具有U型槽形狀的基底，并通過氧化得到絕緣層，再在絕緣層的表面通過掩膜刻蝕法制備出可動電極，在第二單層石墨烯層生長過程中保持氣流的方向為所述恒定的方向；采用濕法刻蝕除去第二基底的絕緣層的預設部分；將第一基底與第二基底通過鍵合的方式組裝在一起以形成具有單層石墨烯涂層的歐姆接觸式MEMS開關。

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