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龍圖騰網恭喜圣邦微電子(北京)股份有限公司申請的專利實現各種溫度特性電流的偏置電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115543001B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211226799.7，技術領域涉及：G05F1/567；該發明授權實現各種溫度特性電流的偏置電路是由崔先宇設計研發完成，并于2022-10-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本實現各種溫度特性電流的偏置電路在說明書摘要公布了：實現各種溫度特性電流的偏置電路，通過將高溫修調單元和低溫修調單元分別并聯于偏置單元，所述高溫修調單元和低溫修調單元共用偏置電壓電路，能夠進行溫度補償，有利于用更少面積的電路在偏置電路上實現零溫偏置電流，并且還有利于實現各種溫度特性的電流。

本發明授權實現各種溫度特性電流的偏置電路在權利要求書中公布了：1.實現各種溫度特性電流的偏置電路，其特征在于，包括分別并聯于偏置單元的高溫修調單元和低溫修調單元；所述高溫修調單元和低溫修調單元共用偏置電壓電路；所述偏置單元包括柵極互連的第四PMOS管Mp4和第五PMOS管Mp5，Mp4源極和Mp5源極互連后連接電源電壓端VCC，Mp5柵漏互連后連接第二NMOS管Mn2的漏極，Mn2的源極通過電阻R接地，Mp4的漏極分別連接第一NMOS管Mn1的漏極和柵極，Mn1柵極和Mn2柵極互連，Mn1的源極接地；所述高溫修調單元和低溫修調單元分別與Mp4并聯，設流過Mp4的電流為I，則流過Mp5的電流為2I；所述高溫修調單元包括第三PMOS管Mp3，所述Mp3的源極連接VCC，所述Mp3柵極與所述Mp4柵極互連，所述Mp3的漏極分別連接第八PMOS管Mp8的源極和第九PMOS管Mp9的源極，所述Mp9的柵極連接正向參考電壓Vpt端，所述Mp9漏極與所述Mp4漏極互連，所述Mp8的柵極連接偏置電壓Vbe端，所述Mp8的漏極接地；所述低溫修調單元包括第一PMOS管Mp1，所述Mp1的源極連接VCC，所述Mp1柵極與所述Mp4柵極互連，所述Mp1的漏極分別連接第六PMOS管Mp6的源極和第七PMOS管Mp7的源極，所述Mp6的柵極連接負向參考電壓Vnt端，所述Mp6漏極與所述Mp4漏極互連，所述Mp7的柵極連接偏置電壓Vbe端，所述Mp7的漏極接地；所述偏置電壓電路包括第二PMOS管Mp2，所述Mp2的源極連接VCC，所述Mp2柵極與所述Mp4柵極互連，所述Mp2的漏極連接偏置電壓Vbe端，所述Vbe端分別連接NPN三極管BJT的集電極和基極，所述BJT的發射極接地。

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