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恭喜中國人民解放軍空軍工程大學宗豪華獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國人民解放軍空軍工程大學申請的專利納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115515289B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202211244113.7,技術領域涉及:H05H1/24;該發(fā)明授權(quán)納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置是由宗豪華;梁華;吳云;宋慧敏設計研發(fā)完成,并于2022-10-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置在說明書摘要公布了:一種納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,自上而下包括:頂蓋10,高壓電極板20,絕緣介質(zhì)板30和接地金屬板40。還提供一種基于上述激勵器的納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置的工作方法,在一個射流周期內(nèi),完整的工作過程包含三個階段:沖擊增壓階段、陣列射流階段和多孔吸氣復原階段。本發(fā)明陣列激勵器不需要復雜的負載匹配電路設計或供電電源優(yōu)化設計,具有接線簡單、實現(xiàn)成本低、易于進行大規(guī)模擴展、工作頻率高、脈沖重復性好等優(yōu)點。

本發(fā)明授權(quán)納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流裝置在權(quán)利要求書中公布了:1.納秒脈沖介質(zhì)阻擋放電增壓的陣列等離子體合成射流激勵器,其特征在于,包括:頂蓋10,高壓電極板20,絕緣介質(zhì)板30和接地金屬板40;其中頂蓋10為絕緣材料制成的矩形體,上表面為方形;頂蓋10的外輪廓長度和寬度需要根據(jù)實際應用做出適應性設計;頂蓋10內(nèi)部挖空;形成矩形內(nèi)部空腔,下部開放,當與高壓電極板20和絕緣介質(zhì)板30配合在一起后,形成一個半封閉的、偏平的方形等離子體放電腔體,即激勵器腔體105;在頂蓋10的上表面,沿著垂直于壁面方向,自下而上加工若干個收斂型射流孔102,射流孔102上小下大;這些射流孔102排成N×M陣列,作為氣體自上而下流入和自下而上流出激勵器腔體105的喉道;位于頂蓋10上表面的喉道出口101為圓形;位于激勵器腔體105上表面的喉道入口103也為圓形;射流孔中心軸線垂直于頂蓋10上表面,或與頂蓋10的法線呈一定的角度;只要保證射流孔102下部入口面積大于上部出口面積,且自下而上、從入口到出口的截面面積是單調(diào)減小的;電極板20由薄片狀金屬板制成;電極板具有稠密的網(wǎng)孔狀;每個射流孔102的位置對應一個網(wǎng)孔,二者軸線重合;相鄰射流孔的中心間距與相鄰網(wǎng)孔的中心間距相同;最外圈網(wǎng)孔與電極板20的邊緣均保持一定距離;電極板20的長寬尺寸與激勵器腔體105的長寬尺寸基本相同,方便將電極板20自下而上嵌入頂蓋10;絕緣介質(zhì)板30為薄片狀矩形體;絕緣介質(zhì)板30在水平面上的投影與頂蓋10投影重合,即二者長、寬尺寸相同;接地金屬板40為薄片狀矩形體;接地金屬板40在水平面上的投影與頂蓋10投影重合,即絕緣介質(zhì)板30、接地金屬板40的長、寬尺寸均與頂蓋10相同;安裝時,絕緣介質(zhì)板30下表面與接地金屬板40上表面緊密結(jié)合;頂蓋10、電極板20、絕緣介質(zhì)板30和接地金屬板40自上而下依次組裝在一起,即構(gòu)成激勵器。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人中國人民解放軍空軍工程大學,其通訊地址為:710051 陜西省西安市長樂東路甲字1號空軍工程大學;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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