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龍圖騰網恭喜哈工大蘇州研究院;哈爾濱工業大學申請的專利一種W/Cu復合材料的工業化制備方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119410942B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411558368.X，技術領域涉及：C22C1/04；該發明授權一種W/Cu復合材料的工業化制備方法及其應用是由畢夢雪;孫徠博;黃陸軍;耿林;孫楓泊;魯偉航;姚彥設計研發完成，并于2024-11-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種W/Cu復合材料的工業化制備方法及其應用在說明書摘要公布了：一種WCu復合材料的工業化制備方法及其應用。本發明屬于熱核聚變用鎢銅復合材料領域。本發明的目的是為了解決現有鎢銅復合材料的制備方法無法兼顧生產成本和產物性能的技術問題。本發明以W粉為基材，先在其表面通過磁控濺射共沉積WCu復合過渡層，再通過磁控濺射在WCu復合過渡層表面沉積Cu膜，該方法解決傳統混粉不均勻和顆粒團聚現象，能使W、Cu材料成分分布相對均勻。除此之外，更重要的是，本發明通過調控W粉表面膜層厚度以及與之匹配的熱等靜壓工藝參數，在不增加制備工序，不引入第三組份填料的基礎上獲得了兼具高致密度和熱導率的WCu復合材料，為熱核聚變等離子體第一壁用復合材料的工業化生產提供了可能。

本發明授權一種W/Cu復合材料的工業化制備方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種WCu復合材料的工業化制備方法，其特征在于，所述方法：S1：分別以Cu靶和W靶為靶材，通過磁控濺射在W粉表面共沉積WCu復合過渡層，關閉W靶，繼續在WCu復合過渡層表面沉積Cu膜；磁控濺射參數：工作氣壓為0.2~0.8Pa，溫度為200~300℃，偏壓為-50V~-150V，Cu靶功率為50~150W，W靶功率為2~4kW，共沉積時間為1~12h，關閉W靶后繼續沉積6h~20h；所得WCu復合過渡層厚度為50~600nm，所得Cu膜厚度為0.3~1μm；S2：通過熱等靜壓對其進行燒結，得到WCu復合材料，其中當S1中WCu復合過渡層與Cu膜厚度之和≤1μm時，燒結溫度為800~1000℃，熱等靜壓壓強為80~100MPa，保溫時間1~3h；WCu復合過渡層與Cu膜厚度之和＞1μm時，燒結溫度為1100~1200℃，熱等靜壓壓強為80~100MPa，保溫時間1~3h。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈工大蘇州研究院;哈爾濱工業大學，其通訊地址為：215100 江蘇省蘇州市吳中區南官渡路500號太湖金港商業綜合體K棟20層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。