恭喜上海博瑞思環境科技有限公司郭榮榮獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜上海博瑞思環境科技有限公司申請的專利一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法及應用獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119302188B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202411833576.6,技術領域涉及:A01G22/00;該發明授權一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法及應用是由郭榮榮;吳陽;王偉設計研發完成,并于2024-12-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法及應用在說明書摘要公布了:本發明涉及水環境污染治理領域,具體提供一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法及應用,通過從鎘污染區采集的草本植物中提取抗性植物內生菌,并使其定殖于苦草上以增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力;本發明的增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法有效的提高了苦草抗重金屬鎘脅迫能力的閾值,提高鎘污染底泥中苦草的成活率,增加苦草鎘富集能力,強化其鎘污染修復能力,使苦草更好地應用于水生態修復領域。
本發明授權一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法及應用在權利要求書中公布了:1.一種增強苦草抗重金屬鎘脅迫能力的方法,其特征在于,包括以下步驟:1抗性植物內生菌提取:從鎘污染區采集鎘超累積草本植物,消毒,研磨,加緩沖液混合均勻,并接種于含鎘的滅菌LB固體培養基中,恒溫無菌培養,然后挑選菌落至新的滅菌LB固體培養基中,純化,獲得的抗性內生菌保存備用,所述LB固體培養基中的鎘含量為1.5~3.5mmolL;2抗性植物內生菌懸濁液配制:將步驟1獲得的抗性內生菌接種至LB液體培養基中,培養至對數期,離心,滅菌生理鹽水重懸,無菌水重懸稀釋至OD600=0.5~0.9,備用;3苦草栽植:將第一苦草種植塘的底泥表層翻耕,將CdCl2與翻耕底泥混合,配制含鎘底泥,所述含鎘底泥的鎘含量為5~15mgkg,選取苦草苗種植于第一苦草種植塘中,回水;4抗性植物內生菌定殖:苦草苗種植15~20天后,向第一苦草種植塘水體中施用漂白粉,5~10天后,向第一苦草種植塘水體中均勻加入步驟2獲得的抗性內生菌懸濁液,使抗性內生菌定殖于苦草上;5疏苗、移栽:第一苦草種植塘中苦草種植50~70天后,進行疏苗;將第二苦草種植塘的底泥表層翻耕,將CdCl2與翻耕底泥混合,配制含鎘底泥,所述含鎘底泥的鎘含量為15~35mgkg;選取第一苦草種植塘中的苦草植株種植于第二苦草種植塘,于第二苦草種植塘中重復步驟4的方法。
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