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龍圖騰網(wǎng)恭喜芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司申請的專利超結半導體器件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119364831B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202411896372.7，技術領域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權超結半導體器件是由李寶杰;任文珍;叢茂杰;陸玨;徐旭東設計研發(fā)完成，并于2024-12-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本超結半導體器件在說明書摘要公布了：本申請涉及一種超結半導體器件，涉及半導體技術領域，包括：半導體材料層，包括彼此相對的上表面和下表面；超結結構，位于半導體材料層中，包括若干呈交替排列的第一導電類型柱和第二導電類型柱；第一導電類型阱區(qū)，位于半導體材料層中且位于第一導電類型柱頂端，第一導電類型阱區(qū)包括第一類阱區(qū)和第二類阱區(qū)；柵極，位于上表面上；第一導電插塞，穿過柵極與第一類阱區(qū)導電連接；第二導電插塞，位于柵極上，與柵極導電連接；第二類阱區(qū)上方被柵極覆蓋，第二類阱區(qū)與第一導電插塞、與第二導電插塞均絕緣隔離；第二類阱區(qū)從核心區(qū)延伸至終端區(qū)，第二類阱區(qū)在核心區(qū)以及在終端區(qū)均與第一類阱區(qū)分立設置。由此，增強器件的抗電磁干擾能力。

本發(fā)明授權超結半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種超結半導體器件，其特征在于，包括：半導體材料層，包括彼此相對的上表面和下表面；超結結構，位于所述半導體材料層中，所述超結結構包括若干呈交替排列的第一導電類型柱和第二導電類型柱；第一導電類型阱區(qū)，位于所述半導體材料層中且位于所述第一導電類型柱的頂端，所述第一導電類型阱區(qū)包括第一類阱區(qū)和第二類阱區(qū)，所述第一類阱區(qū)和所述第二類阱區(qū)下方分別對應不同的第一導電類型柱；柵極，位于所述半導體材料層的所述上表面之上；第一導電插塞，穿過所述柵極與所述第一類阱區(qū)導電連接；第二導電插塞，位于所述柵極上，與所述柵極導電連接；所述第二類阱區(qū)的上方被所述柵極覆蓋，所述第二類阱區(qū)與所述第一導電插塞、與所述第二導電插塞均絕緣隔離；所述第一類阱區(qū)和所述第二類阱區(qū)均從所述超結半導體器件的核心區(qū)延伸至終端區(qū)，所述第二類阱區(qū)與所述第一類阱區(qū)在任意位置均分立設置。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司，其通訊地址為：312035 浙江省紹興市越城區(qū)皋埠街道臨江路518號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。