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龍圖騰網(wǎng)恭喜蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司申請的專利一種GaN HEMT器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119384002B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411920163.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/47；該發(fā)明授權(quán)一種GaN HEMT器件是由岳丹誠;張耀輝;張曉宇設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-25向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種GaN HEMT器件在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环NGaNHEMT器件，包括：N型的低阻的襯底；接地的背面接地金屬，形成在襯底的背側(cè)；P型的SiC材料的外延層，形成在襯底的整個上表面，外延層的上表面分為外延層第一區(qū)域和外延層第二區(qū)域；第一通孔，自外延層第一區(qū)域向下形成，且第一通孔的底端進(jìn)入到襯底內(nèi)；N型連接區(qū)，由N型材料填充在第一通孔內(nèi)形成，且N型連接區(qū)的下端進(jìn)入到襯底內(nèi)；GaNHEMT正面結(jié)構(gòu)，形成在外延層第二區(qū)域之上；背面接地金屬、N型的襯底和N型的N型連接區(qū)連接，且接到所述GaNHEMT器件。本申請?zhí)峁┝诵陆Y(jié)構(gòu)的GaNHEMT器件。

本發(fā)明授權(quán)一種GaN HEMT器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種GaNHEMT器件，其特征在于，包括：N型的低阻的襯底（10）；接地的背面接地金屬（32），形成在所述襯底（10）的背側(cè)；P型的SiC材料的外延層，形成在所述襯底之上，所述外延層的上表面分為外延層第一區(qū)域和外延層第二區(qū)域；第一通孔，自所述外延層第一區(qū)域向下形成，且所述第一通孔的底端進(jìn)入到所述襯底（10）內(nèi)；N型連接區(qū)（20），由N型材料填充在所述第一通孔內(nèi)形成，且所述N型連接區(qū)（20）的下端進(jìn)入到所述襯底（10）內(nèi)；GaNHEMT正面結(jié)構(gòu)，形成在所述外延層第二區(qū)域之上；其中，所述背面接地金屬（32）、N型的所述襯底（10）和所述N型連接區(qū)（20）連接，且接到所述GaNHEMT器件；其中，通過背面接地金屬（32）、N型的襯底（10）和N型連接區(qū)（20）連接已經(jīng)將接地的背面接地金屬（32）的零電位接到了N型連接區(qū)（20）的上表面，實(shí)現(xiàn)零電位已經(jīng)接到了GaNHEMT器件內(nèi)部且在厚度方向的中部位置。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州華太電子技術(shù)股份有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園10棟1層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。