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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海治臻新能源股份有限公司申請的專利一種AEM電解槽陰極用析氫電極及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119372708B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411975560.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C25B11/091；該發(fā)明授權(quán)一種AEM電解槽陰極用析氫電極及其制備方法是由梅昊;畢飛飛;姜天豪;胡鵬;藍樹槐設計研發(fā)完成，并于2024-12-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種AEM電解槽陰極用析氫電極及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種AEM電解槽陰極用析氫電極及其制備方法，該電極依次包括基底網(wǎng)、金屬底層和催化層，基底網(wǎng)選自不銹鋼網(wǎng)或鎳網(wǎng)，金屬底層通過物理氣相沉積形成于基底網(wǎng)上，材質(zhì)選自Ni、Ti、其合金或其氧化物；催化層通過物理氣相沉積于金屬底層上，依次包括催化底層、催化中間層和催化外層，且孔隙率逐步增大。制備方法包括：基底網(wǎng)酸蝕表面粗化處理，在基底網(wǎng)上物理氣相沉積形成金屬底層，在金屬底層表面物理氣相沉積依次形成催化底層、催化中間層和催化外層，得到催化層，通過摻雜元素的等離子體對催化層后處理形成多孔網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)，大大提升AEM電解槽陰極在堿性環(huán)境下的耐蝕性和催化效果。

本發(fā)明授權(quán)一種AEM電解槽陰極用析氫電極及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種AEM電解槽陰極用析氫電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）選取厚度均勻的不銹鋼網(wǎng)作為析氫電極基材，在乙醇和水中進行超聲清洗，以去掉表面的油脂和表面碎屑；將不銹鋼網(wǎng)固定到掛架上，浸入草酸刻蝕溶液中，控制刻蝕時間為10min，溫度為45℃，在刻蝕過程中不斷攪拌溶液，以促進反應均勻進行；（2）將不銹鋼網(wǎng)固定到電極夾上，移動到封閉反應腔室并將其內(nèi)部抽真空，當真空抽至5×10-3Pa時，開啟加熱器加熱至300℃，保溫一段時間，隨后通過氣路和氣孔往腔體內(nèi)通入反應氣體Ar、O2和NH3，分別控制Co、Ni、純Fe靶材，并通過抽氣系統(tǒng)控制真空度為2Pa，在300℃的沉積溫度下，控制Ni靶材的沉積電流為1A，沉積時間為10min，沉積偏壓為1500V，沉積金屬Ni底層；（3）控制Co、Ni、純Fe靶材，并控制在真空度為2Pa、沉積溫度為300℃的條件下進行真空氣相沉積，先分別控制Ni靶材的沉積電流為9A，純Fe靶材的沉積電流為3A，Co靶材的沉積電流為1A，沉積時間為10min，沉積偏壓為1200V；再分別控制Ni靶材的沉積電流為9A，純Fe靶材的沉積電流為3A，Co靶材的沉積電流為0.5A，沉積時間為30min，沉積偏壓為500V；然后分別控制Ni靶材的沉積電流為9A，純Fe靶材的沉積電流為3A，Co靶材的沉積電流為0A，沉積時間為30min，沉積偏壓為120V；逐步冷卻至室溫，得到Ni-Fe-CoOx析氫電極，厚度為1000nm；（4）將制備的Ni-Fe-CoOx析氫電極移動到封閉反應腔室并將其內(nèi)部抽真空，當真空抽至5×10-3Pa時，開啟加熱器加熱至600℃，保溫一段時間，隨后通過氣路和氣孔往腔體內(nèi)通入反應氣體NH3，控制沉積偏壓為800-1200V，在600℃的沉積溫度下后處理60min，即得。

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