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龍圖騰網(wǎng)恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體集成器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119584630B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510131851.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體集成器件是由陳維邦設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-02-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體集成器件在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體集成器件，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供基底；基底包括器件區(qū)和非器件區(qū)；其中，器件區(qū)內(nèi)和非器件區(qū)內(nèi)分別形成有相對應(yīng)的離子摻雜區(qū)；形成于器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)和形成于非器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)在同一工序中基于同一掩膜形成；在器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)表面形成金屬柵極結(jié)構(gòu)；在金屬柵極結(jié)構(gòu)遠離基底的一側(cè)形成柵極接觸結(jié)構(gòu)，并對應(yīng)非器件區(qū)形成電阻接觸結(jié)構(gòu)；其中，柵極接觸結(jié)構(gòu)與金屬柵極結(jié)構(gòu)遠離基底的表面接觸；電阻接觸結(jié)構(gòu)與非器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)直接接觸。通過本申請實施例，減少了為制造電阻增加的額外的工藝步驟和掩膜，簡化了系統(tǒng)級芯片中電阻的制造工藝。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體集成器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；所述基底包括器件區(qū)和非器件區(qū)；其中，所述器件區(qū)內(nèi)和所述非器件區(qū)內(nèi)分別形成有相對應(yīng)的離子摻雜區(qū)；形成于所述器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)和形成于所述非器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)在同一工序中基于同一掩膜形成；在所述器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)表面形成金屬柵極結(jié)構(gòu)；其中，在所述器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)表面形成金屬柵極結(jié)構(gòu)的步驟，包括：在所述器件區(qū)表面和所述非器件區(qū)表面分別形成相對應(yīng)的偽柵極結(jié)構(gòu)；其中，形成于所述器件區(qū)表面的偽柵極結(jié)構(gòu)和形成于所述非器件區(qū)表面的偽柵極結(jié)構(gòu)在同一工序中基于同一掩膜形成；所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極、柵極介電層和柵極側(cè)墻；在所述非器件區(qū)表面的偽柵極表面形成偽柵極硅化層；去除所述器件區(qū)表面的偽柵極，形成金屬柵極；其中，在去除所述器件區(qū)表面的偽柵極的過程中，所述偽柵極硅化層被去除，所述非器件區(qū)表面的偽柵極在所述偽柵極硅化層的阻擋作用下保留；在所述金屬柵極結(jié)構(gòu)遠離所述基底的一側(cè)形成柵極接觸結(jié)構(gòu)，并對應(yīng)所述非器件區(qū)形成電阻接觸結(jié)構(gòu)；其中，所述柵極接觸結(jié)構(gòu)與所述金屬柵極結(jié)構(gòu)遠離所述基底的表面接觸；所述電阻接觸結(jié)構(gòu)與所述非器件區(qū)內(nèi)的離子摻雜區(qū)直接接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十三街29號院一區(qū)2號樓13層1302-C54；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。