恭喜嘉興阿特斯技術研究院有限公司楊浩國獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜嘉興阿特斯技術研究院有限公司申請的專利太陽能電池及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119604038B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:202510138602.1,技術領域涉及:H10F10/166;該發(fā)明授權太陽能電池及其制備方法是由楊浩國;姚錚;張達奇;吳堅設計研發(fā)完成,并于2025-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本太陽能電池及其制備方法在說明書摘要公布了:一種太陽能電池及其制備方法,屬于光伏領域。太陽能電池包括電池基體、位于電池基體至少一表面的透明導電膜、位于透明導電膜遠離電池基體的一側的電極;透明導電膜包括位于電極區(qū)的第一透明導電膜、位于非電極區(qū)的第二透明導電膜,第一透明導電膜的載流子濃度大于第二透明導電膜的載流子濃度。本發(fā)明通過對透明導電膜進行優(yōu)化,降低了電極與第一透明導電膜的接觸電阻,結合透明導電膜內的載流子濃度差,有利于載流子的收集,提高電池效率。同時,非電極區(qū)的載流子濃度低,可以保持較高的透光性,提高了電池的光吸收率,從而可以提高電池效率。本發(fā)明能夠平衡電極區(qū)對導電性、非電極區(qū)對透光性的要求,從電學和光學雙重角度提高電池的效率。
本發(fā)明授權太陽能電池及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種太陽能電池,包括電池基體、位于所述電池基體至少一表面的透明導電膜(4)、位于所述透明導電膜(4)遠離所述電池基體的一側的電極(5);其特征在于,所述透明導電膜(4)包括位于電極區(qū)的第一透明導電膜(41)、位于非電極區(qū)的第二透明導電膜(42),所述第一透明導電膜(41)的載流子濃度大于所述第二透明導電膜(42)的載流子濃度,所述電極(5)與所述第一透明導電膜(41)接觸;所述第一透明導電膜(41)位于所述電極(5)沿所述電池基體的厚度方向在所述透明導電膜(4)上的投影內,所述第一透明導電膜(41)與所述電極(5)接觸的表面的面積與所述電極(5)在所述透明導電膜(4)上的投影的面積一致,所述第一透明導電膜(41)與電池基體接觸的表面的面積小于所述電極(5)在所述透明導電膜(4)上的投影的面積。
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