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龍圖騰網恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種MTP器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119629999B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510148801.0，技術領域涉及：H10B43/30；該發明授權一種MTP器件及其制備方法是由康紹磊;丁帥;丁夢茜設計研發完成，并于2025-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MTP器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種MTP器件及其制備方法，本發明通過傳統MTP器件中由襯底、柵氧層和浮柵構成的MOS電容替換為浮柵、絕緣層和導電插塞構成位于襯底上電容，以通過浮柵和導電插塞之間的電容耦合來控制浮柵的電位，從而完成在浮柵晶體管區域的編程和擦除操作，本發明的MTP器件中電容與襯底完全隔離，在進行編程和擦除操作時，不會受到襯底電位的影響，進而有效擴展了MTP器件的操作范圍，即提高了MTP器件的編程效率和擦除效率，同時在較小的面積里實現較高的電容耦合效率，有利于縮小了芯片面積。

本發明授權一種MTP器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種MTP器件，其特征在于，包括形成于襯底的浮柵晶體管、選擇晶體管和電容，所述襯底中設置有凹槽，所述浮柵晶體管的浮柵作為所述電容的下電極，所述電容還包括絕緣層和導電插塞，所述浮柵的一部分覆蓋所述凹槽的內壁，所述絕緣層覆蓋所述凹槽內的浮柵，所述導電插塞從所述絕緣層內側填充所述凹槽；其中，所述襯底包括基底，所述基底具有有源區，在所述有源區的基底中設置有第一阱區和第二阱區，所述第一阱區位于所述第二阱區下方，且第一阱區和第二阱區接觸設置，所述第一阱區設置在所述基底中；在所述第二阱區中設置有第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構，所述第一淺溝槽隔離結構圍設在所述第二阱區的周圍，所述第二淺溝槽隔離結構間隔設置在所述第一淺溝槽隔離結構的內側，所述第一淺溝槽隔離結構和第二淺溝槽隔離結構將所述有源區的基底分隔為第一區域和第二區域。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區科創十三街29號院一區2號樓13層1302-C54；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。