買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜電子科技大學(xué)申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119623311B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510157398.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法是由胡旺;陳業(yè)航;章語(yǔ)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-02-13向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提出半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法，屬于半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)領(lǐng)域。該方法包括上層尋優(yōu)與下層尋優(yōu)兩個(gè)步驟，上層尋優(yōu)面向圖形化工藝，對(duì)結(jié)構(gòu)特性進(jìn)行優(yōu)化；下層尋優(yōu)面向材料處理工藝，對(duì)物理特性進(jìn)行優(yōu)化，經(jīng)過(guò)兩層優(yōu)化后再進(jìn)行電學(xué)特性的仿真，可以更好的為優(yōu)化指引方向，也能降低仿真時(shí)間。在滿足各項(xiàng)目標(biāo)閾值且成功進(jìn)行電學(xué)特性仿真的個(gè)體中，判斷上下層優(yōu)化的目標(biāo)與最終的電學(xué)特性的目標(biāo)之間的關(guān)系，更好的調(diào)整之后在分層優(yōu)化中對(duì)不同目標(biāo)之間的偏好。本發(fā)明通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件工藝優(yōu)化進(jìn)行自動(dòng)化的尋優(yōu)迭代，節(jié)省了時(shí)間成本和人工設(shè)計(jì)成本，有效地提高了元件的設(shè)計(jì)效率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.半導(dǎo)體器件工藝的多目標(biāo)雙層智能優(yōu)化方法，其特征在于，包括以下步驟：S1：初始化晶圓參數(shù)，進(jìn)行晶圓的幾何建模和材料屬性設(shè)置：首先定義晶圓包括幾何形狀和尺寸的結(jié)構(gòu)特性；同時(shí)定義晶圓材料的物理特性；所述結(jié)構(gòu)特性包括光刻過(guò)程后和蝕刻過(guò)程后晶圓的關(guān)鍵尺寸、線寬粗糙度、厚度均勻性；所述物理特性具體包括退火后晶圓的摻雜激活、晶格損傷、表面濃度和摻雜結(jié)深；S2：執(zhí)行上層優(yōu)化算法進(jìn)行目標(biāo)結(jié)構(gòu)特性優(yōu)化：通過(guò)對(duì)光刻過(guò)程參數(shù)和蝕刻過(guò)程參數(shù)的改變，評(píng)估經(jīng)過(guò)光刻與蝕刻過(guò)程后晶圓的結(jié)構(gòu)特性并進(jìn)行迭代優(yōu)化，利用智能進(jìn)化算法，進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化；所述光刻過(guò)程參數(shù)和蝕刻過(guò)程參數(shù)具體包括：光刻過(guò)程中包括光刻膠的類型與厚度、光刻中曝光的曝光劑量以及曝光波長(zhǎng)、曝光所花費(fèi)的時(shí)間以及曝光過(guò)程中的強(qiáng)度，以及曝光過(guò)后顯影所花費(fèi)的時(shí)間以及強(qiáng)度；蝕刻過(guò)程中包括使用的蝕刻氣體的類型和氣體的流量，蝕刻過(guò)程中的功率和時(shí)間以及蝕刻環(huán)境中的壓力和溫度；S3：檢驗(yàn)步驟S2優(yōu)化后的晶圓的結(jié)構(gòu)特性是否滿足上層目標(biāo)閾值：如果達(dá)到目標(biāo)閾值則進(jìn)行步驟S4，如果沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)閾值則回到步驟S2重新進(jìn)行一輪優(yōu)化；S4：執(zhí)行下層優(yōu)化算法進(jìn)行目標(biāo)物理特性的優(yōu)化：通過(guò)對(duì)沉積、離子注入、擴(kuò)散與退火過(guò)程參數(shù)的改變，評(píng)估退火后的晶圓的物理特性并進(jìn)行迭代優(yōu)化，利用智能進(jìn)化算法，進(jìn)行多目標(biāo)優(yōu)化；所述沉積、離子注入、擴(kuò)散與退火過(guò)程參數(shù)包括沉積環(huán)境的壓力與溫度、沉積過(guò)程中氣體的種類和流量；離子注入過(guò)程中注入的離子的種類和劑量、注入離子時(shí)對(duì)離子附加的能量和注入的角度，以及離子束流的密度；擴(kuò)散過(guò)程中的擴(kuò)散環(huán)境的壓力以及溫度，擴(kuò)散采用的雜質(zhì)種類以及雜質(zhì)的濃度；退火過(guò)程中退火的時(shí)間以及溫度，以及退火過(guò)程中的氣氛；S5：檢驗(yàn)步驟S4優(yōu)化后的晶圓的物理特性是否滿足下層目標(biāo)閾值：如果達(dá)到目標(biāo)閾值則進(jìn)行步驟S6；如果沒(méi)有達(dá)到目標(biāo)閾值，則判斷偏離目標(biāo)閾值的程度，如果偏離了目標(biāo)閾值的目標(biāo)個(gè)數(shù)小于等于一半，則回到步驟S4進(jìn)行重新一輪的優(yōu)化，如果超過(guò)一半的目標(biāo)偏離了目標(biāo)閾值，則需要回到步驟S2重新進(jìn)行結(jié)構(gòu)特性的優(yōu)化；S6：將步驟S5中達(dá)到下層目標(biāo)閾值的個(gè)體進(jìn)行電學(xué)特性的評(píng)估，獲取晶圓的電學(xué)特性，同時(shí)計(jì)算各個(gè)目標(biāo)的偏好權(quán)重；S7：判斷是否達(dá)到進(jìn)化的終止條件，如果沒(méi)有達(dá)到則返回步驟S2，如果達(dá)到了則結(jié)束進(jìn)化過(guò)程；S8：輸出最優(yōu)解的各項(xiàng)參數(shù)以及各項(xiàng)目標(biāo)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人電子科技大學(xué)，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(qū)(西區(qū))西源大道2006號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。