買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119786339B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510294702.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/033；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由阮鋼;馬亞強(qiáng);羅欽賢;蘇圣哲設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-03-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，先執(zhí)行第一等離子體處理工藝，在NMOS器件的側(cè)墻、PMOS器件的側(cè)墻上以及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上形成氫氧鍵；然后執(zhí)行第二等離子體處理工藝，第二等離子體處理工藝中的氣體與氫氧鍵反應(yīng)生成特征反應(yīng)基團(tuán)，接著形成掩膜層，特征反應(yīng)基團(tuán)與掩膜層中的水生成游離的氫氧根離子，在曝光工藝中，光穿過掩膜層進(jìn)入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)進(jìn)行多次反射，在相鄰NMOS器件和PMOS器件之間的溝道底部的掩膜層中產(chǎn)生的光酸超過預(yù)設(shè)值，游離的氫氧根離子與過度曝光產(chǎn)生的過量光酸發(fā)生中和反應(yīng)，以使掩膜層中的光酸符合預(yù)設(shè)值，意想不到的效果是，顯著改善了掩膜層中側(cè)切的問題，提高了產(chǎn)品的良率。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底上形成有位于P阱區(qū)的NMOS器件和位于N阱區(qū)的PMOS器件，相鄰的所述P阱區(qū)和所述N阱區(qū)之間形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述NMOS器件和所述PMOS器件分別包括柵極和位于所述柵極兩側(cè)的側(cè)墻；執(zhí)行第一等離子體處理工藝，在所述側(cè)墻上和所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上形成氫氧鍵；執(zhí)行第二等離子體處理工藝，所述第二等離子體處理工藝中的氣體與所述側(cè)墻上和所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面上的氫氧鍵反應(yīng)生成特征反應(yīng)基團(tuán)；形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述NMOS器件的側(cè)墻、所述PMOS器件的側(cè)墻并填充相鄰所述NMOS器件和所述PMOS器件之間的溝道，所述特征反應(yīng)基團(tuán)與所述掩膜層中的水生成游離的氫氧根離子；執(zhí)行曝光工藝，光穿過所述掩膜層進(jìn)入所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)進(jìn)行反射，在相鄰所述NMOS器件和所述PMOS器件之間的溝道底部所述掩膜層中產(chǎn)生的光酸超過預(yù)設(shè)值，所述游離的氫氧根離子與所述光酸發(fā)生中和反應(yīng)，以使所述掩膜層中的光酸符合預(yù)設(shè)值。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區(qū)合肥綜合保稅區(qū)內(nèi)西淝河路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。