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龍圖騰網(wǎng)恭喜RNR實驗室公司申請的專利半導體設備制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112913001B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-13發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980065509.5，技術(shù)領域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導體設備制造方法是由柳正道設計研發(fā)完成，并于2019-08-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體設備制造方法在說明書摘要公布了：半導體設備制造方法包括：包括：提供基板的步驟；在上述基板上形成絕緣層的步驟；對上述絕緣層進行蝕刻來形成露出上述基板的開口部的步驟；在上述開口部內(nèi)及上述絕緣層上形成接觸插塞的步驟；在上述接觸插塞上形成金屬層的步驟；以及向上述金屬層照射激光的步驟。

本發(fā)明授權(quán)半導體設備制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體設備制造方法，其特征在于，包括：提供基板的步驟；在上述基板上形成絕緣層的步驟；對上述絕緣層進行蝕刻來形成露出上述基板的開口部的步驟；在上述開口部內(nèi)及上述絕緣層上形成接觸插塞的步驟，其中上述接觸插塞設置于上述開口部之內(nèi)和上述絕緣層的上表面之上；在上述接觸插塞上形成金屬層的步驟，使得上述金屬層設置于上述開口部之外；向上述金屬層照射激光的步驟；以及移除上述金屬層的步驟；其中用上述激光照射上述金屬層的步驟包含通過直接加熱上述金屬層來間接加熱上述接觸插塞，以去除上述接觸插塞中的空隙或接縫，其中上述方法還包括在上述接觸插塞與上述金屬層之間形成插入層，以防止上述金屬層和上述接觸插塞之間發(fā)生反應或相互擴散，并且在上述插入層和上述金屬層設置在上述接觸插塞上的狀態(tài)下進行上述金屬層照射激光的步驟，其中，上述接觸插塞包含多晶硅，其中，上述插入層包含SiO2，其中，上述金屬層被激光加熱至2000℃至3000℃。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人RNR實驗室公司，其通訊地址為：韓國首爾冠岳區(qū)冠岳路1海東學術(shù)館32-1洞2層(新林洞)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。