恭喜RNR實驗室公司柳正道獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜RNR實驗室公司申請的專利半導體設備制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112913001B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-13發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980065509.5，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體設備制造方法是由柳正道設計研發完成，并于2019-08-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體設備制造方法在說明書摘要公布了：半導體設備制造方法包括：包括：提供基板的步驟；在上述基板上形成絕緣層的步驟；對上述絕緣層進行蝕刻來形成露出上述基板的開口部的步驟；在上述開口部內及上述絕緣層上形成接觸插塞的步驟；在上述接觸插塞上形成金屬層的步驟；以及向上述金屬層照射激光的步驟。
本發明授權半導體設備制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體設備制造方法，其特征在于，包括：提供基板的步驟；在上述基板上形成絕緣層的步驟；對上述絕緣層進行蝕刻來形成露出上述基板的開口部的步驟；在上述開口部內及上述絕緣層上形成接觸插塞的步驟，其中上述接觸插塞設置于上述開口部之內和上述絕緣層的上表面之上；在上述接觸插塞上形成金屬層的步驟，使得上述金屬層設置于上述開口部之外；向上述金屬層照射激光的步驟；以及移除上述金屬層的步驟；其中用上述激光照射上述金屬層的步驟包含通過直接加熱上述金屬層來間接加熱上述接觸插塞，以去除上述接觸插塞中的空隙或接縫，其中上述方法還包括在上述接觸插塞與上述金屬層之間形成插入層，以防止上述金屬層和上述接觸插塞之間發生反應或相互擴散，并且在上述插入層和上述金屬層設置在上述接觸插塞上的狀態下進行上述金屬層照射激光的步驟，其中，上述接觸插塞包含多晶硅，其中，上述插入層包含SiO2，其中，上述金屬層被激光加熱至2000℃至3000℃。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人RNR實驗室公司，其通訊地址為：韓國首爾冠岳區冠岳路1海東學術館32-1洞2層(新林洞)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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